近日,在存储器解决方案领域,Kioxia Corporation再次展现其创新实力,宣布成功开发出OCTRAM(氧化物半导体通道晶体管DRAM)技术。这一新型4F2 DRAM技术,结合了高导通电流与超低关断电流的氧化物半导体晶体管,标志着DRAM技术的一大进步。
2024年12月9日,在加州旧金山举行的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,Kioxia首次公布了这一技术突破。据悉,OCTRAM技术是Kioxia与Nanya Technology共同研发的成果。
OCTRAM技术的核心在于InGaZnO晶体管的超低泄漏特性,这一特性为实现低功耗DRAM提供了可能。随着AI、后5G通信系统以及物联网产品的快速发展,对低功耗存储器的需求日益迫切。OCTRAM技术的出现,有望为这些应用带来显著的功耗降低,从而推动相关领域的进一步发展。
作为存储器解决方案的全球领导者,Kioxia此次的技术创新再次证明了其在DRAM领域的深厚底蕴和持续创新能力。未来,随着OCTRAM技术的不断成熟和应用推广,我们有理由相信,它将为更多领域带来革命性的变化,推动整个半导体行业的持续进步。
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