在近期的2024年IEEE国际电子器件会议(IEDM 2024)上,英特尔代工展现了一系列创新技术,为半导体行业的未来发展注入了强劲动力。
在新材料领域,英特尔代工推出的减成法钌互连技术,成功将线间电容降低了最高25%,这一突破性的成果有望极大地改善芯片内部的互连性能,提升整体运算效率。
此外,英特尔代工还率先发布了一种用于先进封装的异构集成解决方案。该方案通过创新的封装技术,实现了超快速的芯片间组装,吞吐量提升高达100倍,为高性能计算和低功耗应用提供了全新的可能性。
为了推动全环绕栅极(GAA)技术的进一步微缩,英特尔代工展示了硅基RibbionFET CMOS技术和2D场效应晶体管(2D FETs)的栅氧化层模块。这两项技术不仅提高了设备的性能,还为半导体器件的微缩化提供了新的思路和方法。
这些技术突破不仅展示了英特尔代工在半导体领域的创新实力,更为全球半导体行业的未来发展指明了方向。相信在英特尔代工的推动下,半导体行业将迎来更加繁荣和可持续的发展。
-
芯片
+关注
关注
455文章
50771浏览量
423415 -
英特尔
+关注
关注
61文章
9959浏览量
171724 -
电容
+关注
关注
100文章
6040浏览量
150304 -
半导体器件
+关注
关注
12文章
751浏览量
32042
发布评论请先 登录
相关推荐
评论