大家知道芯片是一个要求极其严格的东西,为此我们生产中想尽办法想要让它减少污染,更加彻底去除污染物。那么,今天来说说,大家知道芯片湿法刻蚀残留物到底用什么方法去除的呢?
芯片湿法刻蚀残留物去除方法主要包括湿法清洗、等离子体处理、化学溶剂处理以及机械研磨等。以下是对芯片湿法刻蚀残留物去除方法的详细介绍:
湿法清洗
铜腐蚀液(ST250):铜腐蚀液主要用于去除聚合物残留物,其对聚合物的去除能力比较强。
稀氟氢酸(DHF):稀氟氢酸能有效去除侧壁损伤层,也能去除大多数刻蚀后的聚合物残留物。
等离子体处理
含F物质的结壳带与无F散装带:为了增强结壳带,在等离子体中加入含F的物质,但需注意这些倾向于攻击暴露的氧化硅衬底。
CF4+O2等离子体:用于去除聚合物步骤,随后使用O2等离子体去除感光膜。
化学溶剂处理
热SPM、有机溶剂:如热SPM(过氧化硫模块)/食人鱼溶液、臭氧和硼材料等,用于去除光致抗蚀剂。
n-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基亚氨基甲酸(DMSO)和四铵甲(TMSO):这些溶剂型流体以各种形式和结合工艺使用,提高产量并减少系统损坏。
机械研磨
在某些情况下,可能需要采用机械研磨的方法来去除顽固的残留物。
审核编辑 黄宇
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