NSG6000 650V单通道半桥栅极驱动芯片介绍
NSG6000 650V 单通道 半桥栅极驱动芯片
NSG6000是650V电压功率MOSFET和IGBT半桥栅驱动器。自带死区保护、高低侧互锁功能，防止高低侧直通。具有较强的VS负偏压、负过冲耐受能力。输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定。
产品特性
最高芯片耐压650V
兼容3.3V，5V，15V输入逻辑
Vs负偏压能力达-9V
防直通保护：
--死区时间130ns
欠压锁定
--VCC欠压锁定阈值8.7V/7.7V
--VBS欠压锁定阈值8.2V/7.3V
驱动电流能力：
--拉电流/灌电流=0.6A/1A
SOP8封装
功能框图
封装管脚图
推荐应用范围
冰箱
洗衣机
家用空调
冰箱应用电路
VS负偏压测试数据
我司产品有较强的VS负过冲耐受能力，pulse可达-80V@200ns；直流负偏压可达-9V以下。
负偏压测试
负过冲测试
Switching测试
双脉冲
50脉冲
参数对比
我司产品相比市场上同类型号产品：
--电流能力更大，可以驱动电流能力更大的功率管；
--静态电流更低，更低的功耗。
拉灌电流测试数据
拉电流测试
灌电流测试
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原文标题：NSG6000 650V 单通道 半桥栅极驱动芯片
文章出处：【微信号：NcePower，微信公众号：无锡新洁能股份有限公司】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
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