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工程师指南:38步骤 反激式开关电源设计提供全面指导

eeDesigner 2025-01-16 18:09 次阅读

围绕反激式开关电源设计展开,详细介绍了 38 个设计步骤,涵盖电路参数计算、元件选型及环路补偿设计等方面,为反激式开关电源设计提供全面指导。
*附件:38步骤 反激式开关电源设计提供全面指导.pdf

  1. 系统应用需求确定 :明确交流输入电压范围(如宽电压 85 - 265V、特定电压倍压整流等)、频率(50Hz 或 60Hz)、开关频率(大于 20KHz,常用 50 - 200KHz)、输出电压、电流、效率、负载调整率、损耗分配因子、空载功率损耗及输出纹波电压等关键参数,这些参数构成后续设计的基础。
  2. 电路关键环节设计步骤
    • 反馈电路与偏置电压选择 :依据输出精度和成本需求,从初级 / 基本、初级 / 增强、光耦器稳压管、光耦器 TL431 等反馈电路类型中选定,并确定相应偏置电压 VB,同时给出不同反馈电路性能对比及光耦器选型参考。
    • 输入电路参数设计 :计算最小和最大直流输入电压 VMIN 和 VMAX,综合考虑铝电解电容特性及纹波因素确定;依据输出功率和交流电压范围,按比例系数或精确公式计算输入存储电容 CIN 容量;根据整流桥工作原理和输入电压参数,选择合适的输入整流桥,确定其反向峰值电压、正向压降、平均整流电流等参数。
    • 变压器相关参数计算与元件选型 :确定反射输出电压 VOR(80 - 135V)及钳位稳压管电压 VCLO,考虑对输入电容、二极管损耗、变压器漏感和开关管击穿风险的影响;依据工作模式设定电流波形参数 KP(KP≤1 为连续模式,KP≥1 为断续模式),并据此计算初级峰值电流 IP、输入平均电流 IAVG 和初级 RMS 电流 IRMS;基于输入输出参数和效率选定 MOS 管芯片,通过设定限流点降低因数 KI 优化效率,并验证 MOS 芯片选择的正确性;计算功率开关管热阻,选择散热片确保芯片工作可靠性;根据工作模式和损耗分配因子计算初级电感量 LP;依据功率、频率等因素选择磁芯和骨架,获取 Ae、Le、AL 和 BW 等参数,进一步确定初级和次级绕组匝数、线径参数,同时检查最大磁通密度 Bm、气隙长度 Lg 和绕组电流密度 CMA 等参数,必要时迭代优化。
    • 输出及辅助电路元件选择 :确定次级峰值电流 ISP 和 RMS 电流 ISRMS,以此选择次级绕组线径参数;计算输出电容纹波电流 IRIPPLE,选择合适的输出电容;确定次级及偏置绕组最大峰值反向电压 PIVS、PIVB,选择相应的整流管和阻断二极管;根据 VOR 及输出类型确定初级钳位电路元件;选择后级滤波器电感 L 和电容 C、偏置绕组整流管和电容、控制极引脚电容及串联电阻;依据选定的反馈电路类型选用相应反馈电路元件。
  3. 环路动态补偿设计要点
    • TL431 工作条件与参数确定 :保证 TL431 阴极电流大于 1mA,阐述其在不同电路接法下的功能及输出电压计算公式,根据 TL431 和光耦 PC817A 要求确定相关电阻值,同时考虑电阻取值对开环增益的影响及 R4、C4 取值在提升低频增益、相位和抑制纹波方面的作用。
    • 谐振、零极点与环路分析基础 :解释谐振和振荡概念,介绍零极点基础知识及在复平面的位置特性对系统稳定性的影响;以常见电路为例说明单极点、单零点、右半平面零点、双极点响应(串联谐振、并联谐振)和低 Q 值双极点响应的特性及相关参数计算;分析 TL431 供电时的零极点特性及适用的补偿方式;针对反激电压方式反馈环路,给出开环传递函数各部分计算方法,通过实例计算各部分频率特性,确定设计目标后进行 TL431 补偿设计以满足要求,同时指出设计中带宽、零点和极点等因素的限制及影响。

反激式开关电源设计的变压器参数计算步骤:

*附件:反激式开关电源设计中变压器参数计算步骤.pdf

反激式开关电源设计的初级峰值电流如何计算?

图片.png

审核编辑 黄宇

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