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飞虹半导体MOS管FHP230N06V在高频开关电源中的应用

广州飞虹半导体 来源:广州飞虹半导体 2025-01-22 17:26 次阅读

都说技术创新是永无止境的,这一方面在力源海纳身上呈现尤为显著,他们首创在高频逆变部分采用低内阻碳化硅MOS管替代传统IGBT,以大幅降低该部分损耗的大功率碳化硅同步整流电源研发成功,开关电源的整体效率提升至96%。

上述案例让我们更加清楚在电路设计中是需要不断结合市场需求来创新的,飞虹半导体也在不断创新我们的MOS管,已经实现HY3906P、IRFB7537PBF、CS160N06等型号的代换使用,它就是FHP230N06V型号MOS管。

它作为一款N沟道增强型场效应管,以其230A、60V的电流、电压特性,电子工程师不仅可以应用于高频开关电源中,还可以用于车载高频逆变器、户外储能电源、工频逆变器、24V蓄电池供电的UPS不间断电源等应用场景。

不仅如此,它采用先进的沟槽技术,降低了导通损耗,提高了开关性能,提高了雪崩能量。

晶体管可用于各种功率开关电路,实现系统小型化和高效率。产品外形是TO-220封装,符合JEDEC标准,在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。

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因此它不仅能达到传统HY3906P、IRFB7537PBF、CS160N06等型号MOS管的功能,对比HY3906P、CS160N06拥有更低的导通内阻,降低了导通损耗,提高了品质因数FOM(RDSON*Qg),性能更优。

而与IRFB7537PbF相比,则提供了更高性价比的国产化替代产品。

FHP230N06V场效应管的详细参数为:Vgs(±V):20;VTH(V):3;ID(A):230;BVdss(V):60。RDS (on) = 2.5mΩ(typ)@V GS =10V、RDS (on) = 3.0mΩ(max)@V GS =10V。

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如想进一步了解其详细参数,可以与飞虹半导体的技术同事沟通。我们都是在持续创新产品来帮助工厂企业获得优质的MOS管,解决电路设计的疑难杂症!

230A、60V的MOS管代换使用,对于高频开关电源选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管不仅广泛应用于高频开关电源中,还可用于户外储能电源、逆变器、高频开关电源等终端应用场景。

为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹半导体”即可找到我们,免费试样热线:400-831-6077。

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原文标题:技术创新在路上:FHP230N06V型号参数更适配高频开关电源的MOS管

文章出处:【微信号:广州飞虹半导体,微信公众号:广州飞虹半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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