据外媒最新报道,为了应对NAND闪存市场的供应过剩问题,三星电子与SK海力士两大半导体巨头已悄然采取措施,通过工艺转换实现“自然减产”。
据业内消息透露,自去年年底以来,三星电子和SK海力士正积极推进NAND闪存生产线的技术迁移工作,即将旧工艺生产线升级为更先进的新工艺。这一过程中,厂商需要引进并安装全新的生产设备,整个升级周期大约耗时三个月。
在此期间,由于新设备尚未正式投入使用,原有的生产线将暂时无法进行晶圆加工,从而导致NAND闪存的出货量自然减少。这种因工艺转换而导致的减产,并非厂商主动减少晶圆投入的结果,因此在半导体行业内被形象地称为“自然减产”。
通过实施“自然减产”措施,三星电子与SK海力士旨在调整NAND闪存的供应节奏,以更好地适应市场需求,缓解供应过剩带来的压力。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
NAND闪存
+关注
关注
2文章
230浏览量
23843 -
SK海力士
+关注
关注
0文章
1017浏览量
42006 -
三星
+关注
关注
1文章
1788浏览量
34543
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
三星NAND涨价100%,存储芯片迎来超级周期
的供需失衡情况。 有多家机构分析认为,AI浪潮所带来的内存市场价格上涨已经波及全球,并且还将继续影响2026年供应链和消费市场。 存储芯片迎来超级周期 不久前,三星电子、SK海力士等存储头部企业一季度的服务器DRAM
KV缓存黑科技!SK海力士“H³存储架构”,HBM和HBF技术加持!
据韩国经济日报报道,SK海力士近日在IEEE(电气与电子工程师协会)全球半导体大会上发表论文,提出了一种全新的存储架构。据悉,该架构名为“H³(hybrid semiconductor
台积电未来10年产能至少翻倍!AI存储需求旺,SK海力士和三星业绩飘红
Vera Rubin 是由 6 款不同的芯片组成,这些芯片每颗都是世界上最先进的芯片,台积电做得非常好,他们非常非常努力,我们今年的需求量非常庞大。”SK海力士和三星电子相继发布财报,显示存储市场畅旺。
SK海力士HBS存储技术,基于垂直导线扇出VFO封装工艺
电子发烧友网综合报道,据韩媒报道,存储行业巨头SK海力士正全力攻克一项全新的性能瓶颈技术高带宽存储HBS。 SK海力士研发的这项HBS技术采用了创新的芯片堆叠方案。根据规划,该技术
SK海力士发布未来存储路线图
电子发烧友网综合报道,近日,韩国首尔举行的“SK AI Summit 2025”峰会上,SK海力士CEO郭鲁正(Kwak Noh-Jung)正式宣布了公司向 “全线AI存储创造者”(Full
SK海力士ZUFS 4.1闪存,手机端AI运行时间缩短47%!
电子发烧友网综合报道,SK海力士宣布,已正式向客户供应其全球率先实现量产的移动端NAND闪存解决方案产品ZUFS 4.1。 SK
美撤销三家在华半导体企业授权 包括英特尔 SK海力士 三星
据央视报道;在8月29日,美国商务部撤销英特尔半导体(大连)、三星中国半导体及SK海力士半导体(中国)的经验证最终用户授权。中方商务部回应称美方此举系出于一己之私;美方将出口管制工具化,将对全球半导体产业链供应链稳定产生重要不利
强强合作 Sandisk闪迪与SK海力士携手推动高带宽闪存技术标准化
Sandisk闪迪公司(NASDAQ:SNDK)正式宣布与SK海力士签署具有里程碑意义的谅解备忘录(Memorandum of Understanding,MOU),双方将携手制定高带宽闪存
SK海力士321层4D NAND的诞生
SK海力士致力于成为“全方位面向AI的存储器供应商(Full Stack AI Memory Provider)”,不仅在DRAM领域持续创新,在NAND闪存(
SK海力士在微细工艺技术领域的领先实力
SK海力士的成功神话背后,离不开众多核心技术的支撑,其中最令人瞩目的便是“微细工艺”。通过对肉眼难以辨识的微细电路进行更为精细化的处理,SK海力士凭借压倒性的技术实力,引领着全球半导体
SK海力士HBM技术的发展历史
SK海力士在巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面,HBM1无疑发挥了决定性作用。无论是率先开发出全球首款最高性能的HBM,还是确立并保持其在面向AI的存储器市场的领先地位,这些成就的背后皆源于SK
SK海力士宋清基TL荣庸发明日铜塔产业勋章
SK海力士宣布,5月19日于首尔COEX麻谷会展中心举行的“第60届发明日纪念仪式”上,来自HBM开发部门的宋清基TL荣庸铜塔产业勋章。
SK海力士UFS 4.1来了,基于321层1Tb TLC 4D NAND闪存
电子发烧友网综合报道,SK海力士宣布公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND闪存的移动端解决方案产品
三星与SK海力士实施NAND闪存“自然减产”
评论