用户指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半桥子卡评估模块

LMG3422EVM-043 在半桥中配置了两个 LMG3422R030 GaN FET，具有锁存过流保护功能和所有必要的辅助外围电路。此 EVM 旨在与大型系统配合使用。

LMG342XEVM - 04X 包含两个以半桥配置的 LMG342XR0X0 氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。所有的偏置和电平转换组件都已集成，这使得低侧参考信号能够控制两个场效应晶体管。功率级上配备了高频去耦电容，采用优化布局，以尽量减少寄生电感并降低电压过冲。

*附件：LMG342XEVM - 04X 评估模块的用户指南.pdf

板子的布局对器件的性能和功能至关重要。TI 建议使用四层或更多层数的电路板，以减少寄生电感，从而使器件达到合适的性能。在 LMG342XR030 600V 30mΩ 氮化镓场效应晶体管集成驱动器的数据手册中提供了布局指南，包括引脚编号、功率环路电感、信号和接地连接，以优化焊接点的可靠性。

特征

• 输入电压最高可达 600 V
• 用于评估 LMG342XR0XX 性能的简单开环设计
• 板载单/双 PWM 输入，用于具有可变死区时间的 PWM 信号
• 逐周期过流保护功能
• 使用带有短接地弹簧探头的示波器探头进行逻辑和功率级测量的便捷探测点

在 LMG342XEVM - 04X 上，从 VDC 到 PGND 有一些高频去耦电容，用于在开关过程中最小化电压过冲，但在运行期间，需要更多的大容量电容来维持直流电压。TI 建议避免从 VSW 到 VDC、PGND 以及任何逻辑引脚之间出现重叠和寄生电容。在 LMG342XEVM - 04X 上，功率地 PGND 和模拟地 AGND 这两个接地引脚在功能上是相互隔离的。

自举模式

LMG342XEVM - 04X 板可以进行修改以在自举模式下运行，在这种模式下，12V 的偏置电压用于为每个 LMG342XR0X0 器件供电。可以通过对该评估模块进行以下修改来实现此模式：

1. 移除 R1。
2. 在 R2 上放置一个 2Ω 的电阻。
3. 在 D1 上放置一个 60V 的 SOD - 123 二极管，如 UFM15PL - TP。
4. 将低侧的 Rdrv 电阻调整为大于 70kΩ，这对应于低侧器件控制底部 GaN 场效应晶体管 Q1 时低于 60V/ns 的转换速率。当自举电源准备就绪时，底部的 GaN 场效应晶体管 U2 以较低的转换速率切换到正常工作状态，然后以较高的转换速率工作。