SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二极管特性
P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 252 - 2 封装，符合 AEC - Q101标准，具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压具有正温度系数、高浪涌电流、100% UIS测试等特性，可提高系统效率，减少散热需求，在并联使用时无热失控风险。
*附件：SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二极管.pdf
电气特性
- 最大反向电压：600V
- 正向平均电流：2A（具体值可能根据封装和散热条件有所不同）
- 正向电压降：典型值在指定电流下给出（需查阅数据手册具体数值）
- 反向漏电流：在指定温度和电压下的最大值（需查阅数据手册具体数值）
特征
符合AECQ-101 | 100%UIS测试 | 极小的反向恢复损耗 | 优异的高温特性
优势
优异的性能 | 减小系统体积 | 提升整体效率 | 减小散热面积 | 车规级器件 | 降低系统成本 | 降低电磁干扰
应用领域
光伏逆变器系统,充电器
典型性能
包装
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