DS28E04-100 4096位、可寻址、1-Wire EEPROM，带有PIO技术手册

概述

DS28E04-100是具有7个地址输入的4096位，1-Wire® EEPROM芯片。地址输入直接映射到1-Wire 64位器件ID号上，使主机系统能够在多器件1-Wire网络环境中直接识别出DS28E04-100的物理地置和功能。4096位EEPROM阵列配置为16页，每页32字节，另外还有用来进行写操作的32字节暂存器。EEPROM存储器页可单独进行写保护或置为EPROM仿真模式，此时每一位只能由1变为0。除存储器外，DS28E04-100还具有两个通用I/O端口，可用于输入或产生电平和/或脉冲输出。状态变化寄存器还用于指示端口状态变化。DS28E04-100通过单触点1-Wire总线进行通信。通信符合标准的Dallas Semiconductor 1-Wire协议。
数据表：*附件：DS28E04-100 4096位、可寻址、1-Wire EEPROM，带有PIO技术手册.pdf

特性

• 4096位EEPROM存储器，划分成16页，每页256位
• 7个地址输入，用于配置物理地置
• 两个通用PIO引脚，具有脉冲产生功能
• 独立的存储器页面可永久写保护或进入OTP EPROM仿真模式(写入0)
• 采用1-Wire协议，通过单线数字信号，以15.3kbps或111kbps速率与主机通信
• 寄生或VCC供电
• 基于PIO状态或PIO状态变化的的条件搜索
• 有噪声时，通过切换点滞回和滤波优化性能
• 2.8V至5.25V宽电压范围，-40°C至+85°C温度范围进行读写操作
• 16引脚，150mil SO封装

应用

• 接入产品、光网络单元和PBX
• 配件/PCB识别
• null

典型操作电路

引脚配置

框图

图1中的框图显示了S28E04-100的主要控制和存储器部分之间的关系。DS28E04-100有五个主要数据部分:1) 64位器件ID号，2) 32字节缓存，3)16页32字节EEPROM，4)特殊功能寄存器，5) PIO控制寄存器。单线协议的层次结构如图2所示。总线主设备必须首先提供八个ROM功能命令中的一个，1)读取ROM，2)匹配ROM，3)搜索ROM，4)条件搜索ROM，5) SkipROM，6) Resume，7) Overdrive-Skip ROM或8) Overdrive-Match ROM。以标准速度执行完一个过驱ROMcommand字节后，器件进入过驱模式，所有后续通信以更高的速度进行。这些ROM功能命令所需的协议如图14所示。成功执行ROM功能命令后，存储/控制功能变得可访问，主机可以提供九个存储/控制功能命令中的任何一个。这些命令的协议如图9所示。所有数据首先从最低有效位读取和写入。
图二单线协议的层次结构