SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册
P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 263 - 2 封装，符合 AEC - Q101标准，具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压具有正温度系数、高浪涌电流能力且 100% 经过 UIS测试等特性。这些特性有助于提升系统效率、减少散热需求、降低开关损耗，还能实现器件并联而无热失控风险。
*附件：SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf
特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 超快速开关
- TO-263-2 封装
- 零反向恢复电流
- 高频运行
- 正向电压具有正温度系数
- 高浪涌电流
- 100% 进行 UIS 测试
优势
- 优异的性能
- 减小系统体积
- 提升整体效率
- 减小散热面积
- 车规级器件
- 降低系统成本
- 降低电磁干扰
应用领域
最大额定值
热特性
封装外形
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发表于 09-24 16:22
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的电源转换需求。 *附件：SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二极管
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开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、100% 经过 UIS测试等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅
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