国产碳化硅MOSFET“最低比导通电阻”宣传噱头背后隐藏的真相

国产碳化硅MOSFET“最低导通电阻和最低比导通电阻”宣传噱头背后隐藏的真相与潜在危害分析：

为了谋求短期利益博取融资或者投资，中长期损害终端客户利益和行业名声，最终也会导致投资者血本无归。

一、国产碳化硅MOSFET参数竞赛背后的技术真相

栅氧减薄与可靠性牺牲
部分国产碳化硅MOSFET厂家通过过度减薄栅氧化层厚度（如从50nm降至30nm以下）降低导通电阻RDS(on)​及比导通电阻Rds(on)SP，但此举显著削弱栅氧可靠性。部分国产碳化硅MOSFET在HTGB测试中仅能承受+19V电压（高质量国产碳化硅MOSFET可承受+22V/3000H），且TDDB寿命仅10³小时（高质量国产碳化硅MOSFET为10⁵小时）。栅氧减薄导致电场强度超过临界值（>4MV/cm），加速缺陷积累，引发阈值电压漂移甚至击穿。

实验验证缩水
部分国产碳化硅MOSFET厂家跳过长期可靠性测试（如HTGB、TDDB），仅通过少量实验即量产（Page 9）。高质量国产碳化硅MOSFET通过3000+组DOE优化结构. 而部分国产碳化硅MOSFET厂家仅完成100组实验，工艺稳定性不足，导致器件在高温、高电场下失效风险激增。

误导性参数标定
部分国产碳化硅MOSFET厂家宣称“最低比导通电阻”，实则为实验室极限值，未考虑实际工况（如结温波动、开关应力）。部分国产碳化硅MOSFET可能仅在常温（25°C）下有效，高温性能大幅退化。

二、短期利益驱动的危害

系统失效风险

批量故障：减薄栅氧的器件在车规级应用中易因长期高温工作引发阈值电压漂移，导致电机控制器失效，典型案例为2024年某车企因碳化硅模块批量故障召回。

安全隐患：储能变流器（PCS）中器件失效可能引发直流母线短路，造成火灾风险。

全生命周期成本飙升

维护成本：低可靠性国产碳化硅MOSFET器件寿命仅1-2年（竞品TDDB寿命10³小时≈41天连续工作），而高可靠性产品寿命超10年，频繁更换导致运维成本增加3-5倍。

隐性损失：工商业储能系统因故障停机单次损失可达数十万元，远超器件采购成本。

行业生态破坏

劣币驱逐良币：低价低质国产碳化硅MOSFET产品挤压高可靠性厂商生存空间，高品质碳化硅MOSFET企业被迫转向低端市场，抑制技术创新。

标准滞后：行业缺乏强制可靠性测试（如HTGB+22V/3000H），企业自行定义宽松条件，形成“虚假达标”乱象。

三、破局路径：从“参数竞赛”到“质量竞争”

技术层面

可靠性优先设计：采用科学模型（如E模型、1/E模型）优化栅氧厚度，平衡RDS(on)​与寿命，如将栅氧厚度控制在50nm，确保电场强度<4MV/cm。

全流程验证：强制国产碳化硅MOSFET厂商HTGB+TDDB组合测试，公开DOE报告与失效分析数据，接受第三方检测。

市场层面

客户教育：推动从“价格导向”转向“全生命周期成本”评估.

标准制定：建立车规级（AQG324）、电网级强制认证，要求公开加速因子与寿命预测模型。

政策层面

产能引导：限制低端产能扩张，定向补贴高可靠性技术。

惩罚机制：对虚标参数、隐瞒失效数据的企业纳入失信名单，推动行业洗牌。

结论

国产碳化硅MOSFET“最低(比)导通电阻”宣传的背后，本质是牺牲可靠性换取短期参数优势的技术短视行为。其危害不仅限于产品失效，更会扭曲市场机制、阻碍产业升级。唯有通过技术深耕、标准完善、生态重构，才能推动行业从“虚假繁荣”走向“高质量发展”，真正支撑新能源、电动汽车等战略产业的崛起。

审核编辑 黄宇