HMC8402-DIE 2GHz至30GHz，GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器技术手册

概述

HMC8402是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、低噪声放大器，工作频率范围为2 GHz至30 GHz。该放大器提供13.5 dB增益、2 dB噪声系数、26 dBm输出IP3和21.5 dBm输出功率（1 dB增益压缩），同时功耗为68 mA（采用7 V电源时）。HMC8402仅采用单正电源供电时具有自偏置以实现68 mA的漏极电流I DQ 。

HMC8402放大器输入/输出内部匹配50 Ω，可方便地集成至多芯片模块(MCM)。所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mils)的两条0.025 mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。
数据表：*附件：HMC8402-DIE 2GHz至30GHz，GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器技术手册.pdf

应用

• 测试仪器仪表
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
• 军事与航天
• 电信基础设施
• 光纤产品

特性

• 针对1 dB压缩(P1dB)的输出功率：21.5 dBm（典型值）
• 饱和输出功率(PSAT)：22 dBm（典型值）
• 增益：13.5 dB（典型值）
• 噪声系数：2 dB
• 输出三阶交调截点(IP3)：26 dBm（典型值）
• 电源电压：7 V (68 mA)
• 50 Ω匹配输入/输出
• 裸片尺寸：2.7 mm × 1.35 mm × 0.05 mm

框图

引脚配置和功能描述

接口示意图

HMC8402是一款GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器。其基本架构是单电源偏置的共源共栅分布式放大器，漏极集成RF扼流圈。共源共栅分布式架构使用由两个场效应晶体管(FET)堆叠而成的基本单元，上部FET的源极连接到下部FET的漏极。然后将基本单元复制几次，用一条FIN传输线互连下层fet的栅极，用一条RFOUT传输线互连上层fet的漏极。
每个单元都采用额外的电路设计技术来优化整体带宽和噪声系数。这种架构的主要优势在于，在比单个基本单元提供的带宽大得多的带宽范围内，可以保持低噪声系数。这种架构的简化原理图如图37所示。