HMC930A-DIE GaAs、pHEMT、MMIC、0.25W功率放大器，DC-40GHz技术手册

概述
HMC930A是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)分布式功率放大器，工作频率范围为DC至40 GHz。 HMC930A提供13 dB增益、33.5 dBm输出IP3和22 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为175 mA（采用10 V电源）。 HMC930A在8 GHz至32 GHz范围内具有略正增益斜率，因而非常适合电子战(EW)、电子对抗(ECM)、雷达和测试设备应用。 HMC930A放大器输入/输出(I/O)内部匹配50 Ω，可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mils)的两条0.025 mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。
数据表：*附件：HMC930A-DIE GaAs、pHEMT、MMIC、0.25W功率放大器，DC-40GHz技术手册.pdf

特性

• 针对1 dB压缩(P1dB)的高输出功率： 22 dBm
• 高饱和输出功率(PSAT)： 24 dBm
• 高增益： 13 dB
• 高输出三阶交调截点(IP3)： 33.5 dBm
• 电源电压： 10 V (175 mA)
• 50 Ω匹配输入/输出
• 裸片尺寸： 2.82 mm × 1.50 mm × 0.1 mm

应用

• 测试仪器仪表
• 微波无线电和VSAT s
• 军事与太空
• 电信基础设施
• 光纤产品

框图

引脚配置和功能
描述
接口示意图

典型性能特征

HMC930A是一款GaAs、pHEMT、MMIC、级联、分布式功率放大器。级联分布式架构使用一个基本单元，该单元由从源极连接到漏极的两个场效应晶体管(FET)的堆叠组成。基本单元的基本示意图如图35所示。基本单元被复制几次，传输线分别连接顶部器件的漏极和底部器件的栅极。围绕每个单元的额外电路设计技术优化了整体响应。这种架构的主要优点是在整个带宽范围内保持可接受的增益，远远大于单个基本单元通常提供的增益。为获得HMC930A的最佳性能并避免损坏器件，请遵循“偏置程序”部分所述的推荐偏置序列。