人工智能(AI)技术的突破正深刻改变着社会各领域,但随着算法复杂度提升与数据量爆炸式增长,传统存储架构逐渐成为AI发展的瓶颈。铁电存储器的非易失性、高速读写、低功耗等特性,正在成为人工智能领域的关键使能技术,推动计算架构向更高效、更智能的方向演进。

铁电存储器SF25C20/SF24C512是基于铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术,兼具RAM的高速读写能力与ROM的非易失性,其核心优势包括:
•低功耗:4.5毫安,待机功耗仅1微安,适合边缘设备和移动终端。
•高速响应:读写速度达到1E11次读/写操作,它的读/写耐久性大大超过 FLASH 和 EEPROM。
•长寿命:数据保持能力为10年@85℃(200年@25℃),在较长时间恶劣的环境条件下,存储的数据也不会丢失。
•高工作频率:它们的工作频率均为25MHz,且都支持40MHz高速读命令,能够满足一些对数据读写速度要求较高的应用场景。
•小尺寸封装:支持SOP8 150mil封装和SOP8 208mil封装,具有体积小、易于安装和焊接的优点,能够节省PCB板的空间。
在边缘设备中,如智能摄像头、无人机,铁电存储器SF25C20/SF24C512可替代MB85RS2M/FM25V20以及MB85RC512/FM24C512,实现AI模型参数的本地化存储。例如,通过将CNN模型权重固化在铁电存储器中,设备无需频繁访问外部存储,大幅降低延迟并减少数据传输能耗。
注:如涉及作品版权问题,请联系删除。
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