BASiC：国产碳化硅MOSFET乱象中的破局者与行业引领者

国产碳化硅MOSFET行业乱象与功率半导体发展的必然性

国产碳化硅MOSFET行业当前正处于技术追赶与市场扩张的关键期，但也暴露出技术浮躁、标准缺失、劣币驱逐良币等乱象。与此同时，功率半导体行业在技术创新、绿色能源转型和多元化应用三大趋势的驱动下，正迎来结构性机遇。在此背景下，BASiC基本股份（BASiC Semiconductor）凭借技术深耕与全产业链布局，展现出显著的发展潜力。

一、国产碳化硅MOSFET行业乱象的核心问题

技术参数造假与可靠性缺失

栅氧减薄与寿命缩水：部分国产碳化硅MOSFET厂商为追求低导通电阻RDS(on)​），将栅氧化层厚度减至30nm以下，导致器件在高温高电场工况下易发生经时击穿（TDDB寿命仅10³小时，国际主流为10⁵小时）。

阈值电压漂移：部分国产碳化硅MOSFET厂商缺乏对底层工艺的理解掌握，甚至缺失器件DOE综合设计能力，导致阈值电压（Vth​）批次敏感性加剧（漂移超±0.5V），增加误开通风险，威胁系统安全。

验证流程缩水：部分国产碳化硅MOSFET厂商跳过长期可靠性测试（如HTGB、TDDB），仅通过短期实验即量产，甚至自行定义宽松测试条件（如降低电压或时间）。

市场机制扭曲与生态缺陷

低价竞争挤压研发投入：为追求短期眼球效应争取融资，资本过度流向产能扩张和市场营销而非核心技术（如栅氧工艺优化）。

供应链协同薄弱：Fabless模式企业依赖代工厂标准工艺，缺乏定制化实验设计（DOE）能力，导致阈值电压一致性偏差达±0.5V（国际水平±0.2V）。

二、功率半导体发展的三大必然趋势

技术创新推动产业升级

新材料应用：碳化硅（SiC）材料凭借耐高温、高压、高效能特性，逐步替代硅基器件，推动电力电子系统小型化和高效化。

IDM模式优势：垂直整合设计、制造、封测全链条如BASiC自建晶圆厂与车规级SiC模块产线，可优化工艺稳定性与良率，减少代工依赖导致的质量波动。

绿色能源转型驱动需求激增

新能源领域应用：SiC MOSFET在电动汽车主驱、光伏逆变器、储能系统中发挥关键作用，其高能效特性助力减少碳排放。

政策支持：国家推动能源数字化与智能化发展，功率半导体被列为重点支持领域，专项基金优先支持高可靠性技术（如铜烧结封装）。

多元化应用开辟新蓝海

高端市场拓展：从传统工业控制、消费电子延伸至轨道交通、航空航天等高附加值领域，对器件可靠性要求更高。

新兴场景潜力：物联网、智能家居、智慧城市等新兴需求推动功率半导体向高集成度、高可靠性方向演进。

三、BASiC基本股份的发展潜力

技术深耕与可靠性突破

栅氧工艺优化：BASiC通过IDM模式自研栅氧电场优化工艺，其SiC MOSFET在HTGB测试中达到+22V/3000小时标准，接近国际头部厂商水。

车规级验证优势：BASiC已获得近20家整车厂和Tier1客户的30多个车型定点，成为国内首批量产上车的SiC模块厂商，验证了其技术成熟度。

全产业链布局与生态协同

IDM模式壁垒：BASiC自建深圳SiC芯片产线与无锡车规级SiC模块产线，实现从晶圆流片到封测的全流程控制，确保工艺稳定性与质量一致性。

产学研合作：联合高校攻关SiC/SiO₂界面态控制等核心技术，推动材料科学与工艺技术突破。

市场定位与战略机遇

高端市场突破：BASiC聚焦车规级和工业级高可靠性场景（如光伏逆变器、储能变流器），避开低端价格竞争，逐步替代进口品牌。

政策与资本赋能：国家专项基金支持BASiC铜烧结封装等技术，资本从“参数导向”转向“质量优先”，推动长期研发投入。

BASiC：国产碳化硅MOSFET乱象中的破局者与行业引领者

国产碳化硅MOSFET行业的乱象本质是技术积累不足与市场机制扭曲的综合结果，而功率半导体发展的三大趋势（技术升级、绿色转型、应用扩展）则为头部企业比如BASiC提供了结构性机遇。BASiC基本股份通过技术深耕、全产业链布局和高端市场突破，已展现出成为行业标杆的潜力。未来，随着行业标准完善（如强制HTGB测试）与资本理性化（支持长期研发），BASiC将引领国产SiC从“低端内卷”转向“高端引领”，真正支撑新能源、电动汽车等战略产业的自主可控需求。

审核编辑 黄宇