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UCC28C58-Q1 汽车类 30V、低功耗电流模式 PWM 控制器数据手册

科技绿洲 2025-03-20 09:29 次阅读

UCC28C5x-Q1 系列器件是高性能电流模式 PWM 控制器,可用于驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是 UCC28C4x-Q1 的更高效、更稳健的版本。

UCC28C5x-Q1 系列具有新的 UVLO 阈值,可实现可靠的 SiC MOSFET作 (UCC28C56-59-Q1),此外,它还具有用于持续支持 Si MOSFET 的现有 UVLO 阈值 (UCC28C50-55-Q1)。
*附件:用于 Si 和 SiC MOSFET 的 UCC28C5x-Q1 汽车级低功率电流模式高性能 PWM 控制器数据表 .pdf

VDD 绝对最大额定电压从 20 V 扩展到 30 V,以最佳方式驱动 20 Vgs、18 Vgs 或 15 Vgs SiC MOSFET 的栅极,同时还允许排除外部 LDO

特性

  • 欠压锁定选项,支持 Si 和 SiC MOSFET 应用
  • 30V VDD 绝对最大电压
  • 最大 1 MHz 固定频率
  • 50μA 启动电流,最大 75μA
  • 低工作电流:f 时为 1.3 mA OSC = 52 赫兹
  • 高工作 T J :最高 150°C
  • 快速 35ns 逐周期过流限制
  • ±1A 峰值驱动电流
  • 轨到轨输出:
    • 25ns 上升时间
    • 20 ns 下降时间
  • 精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准
  • 引脚对引脚兼容,可直接替代 UCC28C4x-Q1
  • 功能安全
    • 提供有助于功能安全系统设计的文档
  • 符合 AEC-Q100 标准,结果如下
    • 器件温度等级 1:-40°C 至 125°C
    • 器件 HBM 分类 2 级:±2 kV
    • 器件 CDM 分类等级 C4B:750 V

参数
image.png

1. 产品概述

  • 产品系列‌:UCC28C5x-Q1
  • 应用领域‌:
  • 产品特性‌:
    • 支持 Si 和 SiC MOSFET 应用
    • 汽车级低功率电流模式高性能 PWM 控制器
    • UVLO 选项支持 SiC MOSFET 可靠运行

2. 主要特性

  • 电气特性‌:
    • VDD 绝对最大电压:30 V
    • 最大固定频率操作:1 MHz
    • 启动电流:50 μA,最大 75 μA
    • 低工作电流:1.3 mA(在 fOSC = 52 kHz 时)
    • 高工作结温:最大 150 ℃
    • 快速 35 ns 逐周期过流限制
    • ±1 A 峰值驱动电流
  • 保护功能‌:
    • 欠压锁定(UVLO)
    • 过流限制
  • 封装与兼容性‌:
    • 提供多种封装选项
    • 与 BiCMOS UCC28C4x-Q1 系列针脚兼容

3. 电气规格

  • 绝对最大额定值‌:
    • 输入电压 VDD:30 V
    • 输入电流 IVDD:30 mA
    • 输出驱动电流(峰值):±1 A
    • 模拟输入电压 COMP、CS、FB、RT/CT:-0.3 V 至 6.3 V
    • 输出驱动器电压 OUT:-0.3 V 至 30 V
    • 参考电压 VREF:7 V
  • 推荐工作条件‌:
    • VDD 输入电压:28 V
    • 输出驱动器电压 VOUT:28 V
    • 平均输出驱动器电流 IOUT:200 mA
    • 操作结温 TJ:-40 °C 至 150 °C

4. 功能特性

  • 欠压锁定(UVLO) ‌:提供六组 UVLO 阈值,支持不同应用场景。
  • 内部参考电压‌:5 V 参考电压,初始准确度为 ±1%。
  • 电流检测和过流保护‌:通过外部电流感应电阻实现,具有快速响应的过流限制功能。
  • 振荡器‌:设计有修整后的放电电流,可准确编程最大占空比和死区时间。
  • 软启动‌:通过缓慢增加有效占空比来逐渐启动转换器,避免启动时的电流冲击。
  • 斜坡补偿‌:在占空比超过 50% 时提供稳定性,确保系统稳定运行。
  • 电压模式控制‌:支持电压模式控制,可通过外部电路实现。

5. 应用与实施

  • 典型应用‌:提供了高电压反激转换器的典型应用电路。
  • 设计步骤‌:包括输入电容选择、变压器设计、输出电容选择、电流感应网络设计、栅极驱动网络设计等。
  • 布局指南‌:强调了布局中对噪声敏感元件的放置、旁路电容的放置、反馈迹线的布局等关键要点。

6. 支持与文档

  • 相关文档‌:提供了产品数据表、应用笔记、参考设计等支持文档。
  • 支持资源‌:包括 TI E2E™ 支持论坛、技术支持链接等。

7. 注意事项

  • 静电放电(ESD ‌:提醒在处理集成电路时需采取适当的预防措施,以防 ESD 损坏。
  • 安全应用‌:强调了在安全关键应用中使用时的注意事项和限制。
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