千亿美元打水漂，传三星取消1.4nm晶圆代工工艺​

电子发烧友网综合报道 据多方消息来源推测，三星电子可能取消原计划于 2027 年量产的 1.4nm（FS1.4）晶圆代工工艺。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首次公开了 SF1.4（1.4nm 级别）工艺，原预计 2027 年实现量产。按照三星当时的说法，SF1.4 将纳米片的数量从 3 个增加到 4 个，有望显著改善芯片在性能和功耗方面的表现。​

三星在先进制程领域目前面临重重困难。三星 3nm（SF3）GAA 工艺自 2023 年量产以来，由于良率未达预期，至今尚未获得大客户订单。这一情况导致原计划搭载第二代 3nm 的 Exynos 2500 芯片推迟推出，Galaxy S25 系列也全线改用高通骁龙 8 至尊版芯片‌。此番情况让三星前期巨额投入近乎打水漂，根据推算，三星在整个3nm项目中，投资高达共投资了1160亿美元(约合人民币8420亿)。

同样，2nm（SF2）工艺的良率表现也不理想，早期量产良率仅为 30%，远低于台积电同期 60% 的水平。此外，英特尔 18A 制程在良率方面表现更优，进一步加剧了三星在尖端工艺上的竞争劣势。​

目前，2nm 工艺依然是三星重点攻克的方向。三星的 2nm 技术采用全环绕栅极（GAA）晶体管技术，旨在优化电力传输效率，减少信号干扰，从而提升芯片性能与能效。其量产计划如下：​
·2025 年：启动 2nm 工艺量产，初期重点面向移动终端（如用于 Galaxy S26 系列的 Exynos 2600 芯片）。​
·2026 年：将应用领域扩展至高性能计算（HPC）领域，争取 AI 芯片订单。​
·2027 年：进军汽车芯片市场，推出专用工艺 SF2Z。​

GAA 技术曾被三星视为超越台积电的关键技术。其沟道形态从 FinFET 的垂直 “鳍片” 转变为水平堆叠的纳米片（Nanosheet）或纳米线（Nanowire），栅极材料（如高介电常数金属栅）从四周完全包裹沟道，显著增强了对电流的控制能力。同时，漏电极与源电极之间的沟道被栅极完全 “锁住”，大幅降低了漏电流（较 FinFET 减少 50% 以上）。​

三星是首个将 GAA 技术商用的厂商，其 MBCFET 技术最初应用于 3nm 工艺，通过调整纳米片宽度（15 - 50nm）来满足不同性能需求。然而，遗憾的是，三星 3nm 工艺的良率实在太低。​

因此，三星的 2nm 工艺不仅要与台积电争夺客户，还需消除 3nm 工艺带来的负面影响。据悉，三星 2nm 工艺已获得日本 AI 公司 Preferred Networks（PFN）的订单，首次从台积电手中 “夺食”，并计划为高通、苹果等客户提供试产服务。2025 年 3 月，三星斥资 5000 亿韩元（约 3.8 亿美元）在华城半导体园区部署了 ASML 的 High - NA EUV 光刻机（型号 EXE:5000），这是全球首台量产的高数值孔径极紫外光刻机，将显著提升 2nm 及以下制程的精度。​

三星的 2nm 战略以 GAA 技术为核心，通过激进的量产时间表和价格策略来争夺市场，但提升良率和获取客户信任仍是关键所在。如果三星能够在 2025 年量产 2nm 之前将工艺良率提升至 50% 以上，那么在亚 2nm 制程领域或许仍有三星的一席之地。否则，继续投入巨额资金研发 1.4nm 工艺的意义已不大。​