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TPS59650 双通道 (3 相 CPU / 2 相 GPU) SVID, D-CAP+TM 降压控制器数据手册

科技绿洲 2025-03-27 10:34 次阅读

TPS51650 和 TPS59650 是双通道、全 SVID 符合 IMVP-7 标准的降压控制器,带有两个集成栅极驱动器。 高级控制功能,如重叠的 D-CAP+ 架构 脉冲支持(下冲减少,USR)和过冲减少 (OSR) 提供快速瞬态响应、最低输出电容和高 效率。所有这些控制器还支持单相 轻负载作。IMVP-7 I/O 的全部优点是 集成到控制器中,包括双 PGOOD 信号、ALERT 和 VR_HOT。V 的可调控制核心转换速率和电压定位完善了 IMVP-7 的功能。在 此外,控制器的 CPU 通道包括两个大电流 FET 栅极驱动器驱动高压侧和低压侧 N 沟道 FET,具有 极高的速度和低开关损耗。TPS51601 驱动程序是 用于 CPU 的第三阶段和 GPU 的两个阶段 渠道。

这些控制器采用节省空间的热增强型 48 引脚 QFN 封装,额定工作温度范围为 –10°C 至 105°C。
*附件:tps59650.pdf

特性

  • 符合 Intel IMVP-7 串行 VID (SVID) 标准
  • 支持 CPU 和 GPU 输出
  • CPU 通道单相、两相或三相
  • 单相或双相 GPU 通道
  • 完整的 IMVP-7 移动功能集,包括数字电流监视器
  • 输出范围为 0.250V 至 1.52V 的 8 位 DAC
  • 优化轻负载和重负载下的效率
  • V核心过冲减少 (OSR)
  • V核心下冲减少 (USR)
  • 精确、可调的电压定位
  • 每个通道 8 个独立频率选择 (CPU/GPU)
  • 正在申请专利的 AutoBalance™ 相位平衡
  • 可选 8 级电流限制
  • 3V 至 28V 转换电压范围
  • 两个集成快速 FET 驱动器,带集成升压 FET
  • 可选地址(仅限 TPS59650)
  • 小型 6 × 6 、48 引脚、QFN、PowerPAD 封装

参数
image.png

1. 产品概述

  • 名称‌:TPS59650
  • 类型‌:D-CAP+™模式自适应开通时间控制器
  • 应用‌:适用于Intel IMVP-7规范的3相CPU和2相GPU电源管理

2. 主要特性

  • IMVP-7兼容‌:支持SVID(Serial VID)接口,符合Intel IMVP-7规范
  • 双通道设计‌:集成3相CPU和2相GPU控制器,具有两个集成的高性能栅极驱动器
  • 高效能‌:在轻重负载下均保持高效率,具有优化的瞬态响应和低输出电容要求
  • 灵活配置‌:支持单相、两相或三相操作,可配置电流限制和电压定位

3. 电气特性

  • 供电电压‌:V5和V5DRV分别为5V和12V,V3R3为3.3V
  • 工作温度范围‌:-40°C至105°C
  • 最大输出电流‌:CPU通道最大94A,GPU通道最大46A
  • 开关频率‌:可编程,最高可达660kHz

4. 功能描述

  • D-CAP+™模式‌:自适应开通时间控制,保持稳态条件下频率恒定
  • 电流监测‌:支持电感DCR(直流电阻)电流监测和电阻电流监测
  • 动态VID支持‌:支持快速、慢速和衰减模式的VID(电压识别)变化
  • 过流保护‌:具有可编程过流保护(OCP)功能,防止功率器件损坏
  • 热保护‌:包括VR_HOT信号和内部热关断功能,防止过热损坏

5. 保护功能

  • 输出过压保护(OVP) ‌:监测输出电压,防止过压
  • 输出欠压保护(UVP) ‌:监测输出电压,防止欠压
  • 软启动‌:具有自适应软启动功能,减少启动时的电流冲击
  • 开环保护‌:监测反馈环路,确保系统稳定运行

6. 应用领域

  • 计算机电源‌:适用于笔记本电脑、台式机和其他需要高效电源管理的计算机设备
  • 服务器电源‌:提供高可靠性和高效率的电源解决方案

7. 封装与订购信息

  • 封装类型‌:48引脚VQFN(无铅,符合RoHS标准)
  • 订购信息‌:提供多种温度和封装选项,具体请参考数据表

8. 设计指南

  • 布局建议‌:分离噪声敏感线路和驱动接口线路,确保电流反馈信号的清洁
  • 补偿网络设计‌:提供电流环和电压环的补偿网络设计指南,以优化系统性能
  • 组件选择‌:推荐使用的MOSFET电感器电容器等关键组件清单

9. 附加功能

  • 可编程特性‌:包括最大电流限制、过流保护水平、软启动时间等
  • 外部同步‌:支持与外部时钟信号同步,便于多相系统应用
  • 地址选择‌(TPS59650特有):通过SLEWA引脚设置SVID基地址

10. 注意事项

  • 静电放电(ESD)防护‌:处理IC时应采取适当的ESD防护措施
  • 热设计‌:确保足够的散热措施,以降低结温
  • 电流监测‌:选择合适的电流监测方法(DCR监测或电阻监测),以满足应用需求
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