TPS51650 和 TPS59650 是双通道、全 SVID 符合 IMVP-7 标准的降压控制器,带有两个集成栅极驱动器。 高级控制功能,如重叠的 D-CAP+ 架构 脉冲支持(下冲减少,USR)和过冲减少 (OSR) 提供快速瞬态响应、最低输出电容和高 效率。所有这些控制器还支持单相 轻负载作。IMVP-7 I/O 的全部优点是 集成到控制器中,包括双 PGOOD 信号、ALERT 和 VR_HOT。V 的可调控制核心转换速率和电压定位完善了 IMVP-7 的功能。在 此外,控制器的 CPU 通道包括两个大电流 FET 栅极驱动器驱动高压侧和低压侧 N 沟道 FET,具有 极高的速度和低开关损耗。TPS51601 驱动程序是 用于 CPU 的第三阶段和 GPU 的两个阶段 渠道。
这些控制器采用节省空间的热增强型 48 引脚 QFN 封装,额定工作温度范围为 –10°C 至 105°C。
*附件:tps51650.pdf
特性
- 符合 Intel IMVP-7 串行 VID (SVID) 标准
- 支持 CPU 和 GPU 输出
- CPU 通道单相、两相或三相
- 单相或双相 GPU 通道
- 完整的 IMVP-7 移动功能集,包括数字电流监视器
- 输出范围为 0.250V 至 1.52V 的 8 位 DAC
- 优化轻负载和重负载下的效率
- V
核心过冲减少 (OSR) - V
核心下冲减少 (USR) - 精确、可调的电压定位
- 每个通道 8 个独立频率选择 (CPU/GPU)
- 正在申请专利的 AutoBalance™ 相位平衡
- 可选 8 级电流限制
- 3V 至 28V 转换电压范围
- 两个集成快速 FET 驱动器,带集成升压 FET
- 可选地址(仅限 TPS59650)
- 小型 6 × 6 、48 引脚、QFN、PowerPAD 封装
参数
1. 产品概述
2. 主要特性
- SVID接口:支持Intel IMVP-7串行VID(SVID)接口
- 高性能:集成两个快速FET驱动器,支持高频开关操作
- 灵活性:支持单相、两相或三相CPU输出,以及单相或两相GPU输出
- 保护机制:过压保护(OVP)、欠压保护(UVP)、过流保护(OCP)和热保护
- 高效能:采用D-CAP+™架构,支持重叠脉冲,减少瞬态过冲和欠冲
3. 电气特性
- 输入电压范围:3V至28V
- 输出电压范围:0.25V至1.52V(通过DAC调节)
- 最大输出电流:CPU通道94A,GPU通道46A
- 工作温度范围:-10°C至105°C(TPS51650),-40°C至105°C(TPS59650)
- PWM频率:可选,最高可达660kHz
4. 功能描述
- D-CAP+™模式:自适应导通时间控制,根据输入和输出电压调整导通时间,维持稳定的PWM频率
- 重叠脉冲支持:在负载瞬态变化时,通过重叠脉冲减少输出电压的过冲和欠冲
- 动态VID响应:支持快速和慢速VID变化,以及VID衰减模式,满足CPU和GPU的动态电源需求
- AutoBalance™电流共享:自动平衡各相电流,确保电流均衡分配
5. 保护机制
- 过压保护(OVP) :当输出电压超过设定阈值时,关闭PWM输出并设置PGOOD为低电平
- 欠压保护(UVP) :当输出电压低于设定阈值时,关闭PWM输出并设置PGOOD为低电平
- 过流保护(OCP) :监测电感电流,超过设定值时关闭PWM输出
- 热保护:内置热传感器,当温度超过阈值时关闭输出并设置VR_HOT信号
6. 封装与订购信息
- 封装类型:48引脚QFN封装(6mm×6mm)
- 订购选项:包括不同温度范围和封装选项,如TPS51650RSLT(250片装,-10°C至105°C),TPS59650RSLT(250片装,-40°C至105°C)
7. 应用指南
- 典型应用电路:提供详细的电路连接图,包括CPU和GPU电源阶段的电感、电容和MOSFET连接
- 外部组件选择:指导如何选择电感、输出电容、电流感应电阻和热敏电阻等外部组件
- PCB布局建议:提供PCB布局指南,以减少噪声干扰和提高电源稳定性
8. 注意事项
- 静电防护:在处理和存储过程中需采取适当的静电防护措施
- 散热管理:确保足够的散热措施,以降低结温并提高系统可靠性
- 配置和测试:在首次使用前,需根据应用需求配置相关参数,并进行充分的测试验证
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