HMC-MDB218次谐波I/Q混频器/IRM芯片技术手册

概述
HMC-MDB218是一款次谐波(x2)MMIC混频器，可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频应用，外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。

所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB218次谐波IRM可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。
数据表：*附件：HMC-MDB218次谐波IQ混频器 IRM芯片技术手册.pdf

应用

• 短程/高容量无线电
• 卫星通信
• 军用雷达、ECM和EW
• 传感器
• 测试和测量设备
  特性
• 宽IF带宽： DC - 3 GHz
• RF频率： 54至64 GHz
• LO频率 27至32 GHz
• 高镜像抑制： 30 dB
• 无源；无需直流偏置
• 裸片尺寸： 1.54 x 1.41 x 0.1 mm
  电气规格
  

框图

焊盘描述

应用电路

应用电路1展示了混频器等效电路。应用电路2描绘了采用90°混合耦合器来实现信号镜像抑制的混频器。所有中频（IF）参数是在中频输出端口配备理想90°混合耦合器的条件下规定的。在应用电路1中，将端口1和/或端口2（混频器）端接为50欧姆后测量转换损耗。会添加3dB（双音）来补偿理想混合耦合器的影响。三阶输入截点（IP3）以输入IP3数值给出，它是在假定存在理想混合耦合器的情况下得出的。