HMC773A GaAs MMIC基波混频器技术手册

概述

HMC773A采用经过优化的巴伦结构，提供出色的LO至RF及LO至IF抑制性能。该混频器采用13 dBm或以上的LO驱动电平工作，具备出色的性能。HMC773A无需线焊，可以使用表贴制造技术。
数据表：*附件：HMC773A GaAs MMIC基波混频器技术手册.pdf

应用

• 点对点无线电
• 点对多点无线电和甚小孔径终端(VSAT)
• 测试设备和传感器
• 军用最终用途

特性

• 转换损耗：9 dB（典型值）
• 本振(LO)至射频(RF)隔离：37 dB（典型值）
• LO至中频(IF)隔离：37 dB（典型值）
• RF至IF隔离：20 dB（典型值）
• 输入三阶交调截点(IP3)：20 dBm（典型值）
• 输出二阶交调截点(IP2)：50 dBm（典型值）
• 针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率：10 dBm（典型值）
• IF带宽：DC至8 GHz
• 无源；无需直流偏置
• 3 mm × 3 mm、12引脚陶瓷LCC封装

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

典型应用电路

图 77 展示了 HMC773ALC3B 的典型应用电路。HMC773ALC3B 是无源器件，无需外部元件。LO 引脚和 RF 引脚内部已进行交流耦合。当不需要进行 IF 操作时，建议使用交流耦合电容隔直。当需要直流下的 IF 操作时，IF 源和灌电流额定值不得超过 “绝对最大额定值” 部分中规定的值。

评估印刷电路板（PCB）信息

评估 PCB 必须采用射频电路设计技术，如图 78 所示。信号线必须具有 50Ω 阻抗，并且封装接地引脚和裸露焊盘必须直接连接到接地层，类似于图 78 所示。使用足够数量的过孔将顶层和底层接地层连接起来。