CSD18511Q5A 40V、N通道 NexFET™ 功率 MOSFET，单 SON 5mm x 6mm，2.3mOhm技术手册

这款 40 V、1.9 mΩ、SON 5 × 6 mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。
*附件：csd18511q5a.pdf

特性

• 低 RDS（开启）
• 低热阻
• 雪崩评级
• 逻辑电平
• 无铅端子电镀
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• SON 5 mm × 6 mm 塑料封装

参数

方框图

1. 产品特性

• ‌低导通电阻‌：RDS(on)在VGS=10V时为1.9mΩ，有助于减少功率损耗。
• ‌低热阻‌：结到壳热阻RθJC为1.2°C/W，有助于散热。
• ‌雪崩能力‌：支持雪崩模式工作，具有较高的耐雪崩能量。
• ‌逻辑电平‌：适合逻辑电平驱动，简化电路设计。
• ‌环保特性‌：无铅端子镀层，符合RoHS标准，无卤素。

2. 应用领域

• ‌DC-DC转换‌：适用于各种DC-DC转换器，提高能量转换效率。
• ‌次级侧同步整流‌：在DC-DC转换器中作为次级侧同步整流器使用。
• ‌电池电机控制‌：适用于电池供电的电机控制应用。

3. 产品描述

CSD18511Q5A是一款40V、1.9mΩ的N沟道NexFET™功率MOSFET，采用5mm×6mm的SON塑料封装。该器件专为最小化功率转换应用中的损耗而设计，具有低导通电阻、低热阻和雪崩能力等特性。

4. 规格参数

4.1 电气特性

• ‌漏源电压‌：VDS最大值为40V。
• ‌栅源阈值电压‌：VGS(th)的典型值为1.8V。
• ‌漏源导通电阻‌：RDS(on)在VGS=4.5V时为2.7mΩ，在VGS=10V时为1.9mΩ。
• ‌栅极电荷‌：Qg（总栅极电荷）在VGS=10V时为63nC。

4.2 热信息

• ‌结到壳热阻‌：RθJC为1.2°C/W。
• ‌结到环境热阻‌：RθJA为50°C/W（在1英寸²、2盎司的铜垫上）。

5. 典型MOSFET特性

• ‌瞬态热阻抗‌：展示了器件在脉冲条件下的热阻抗特性。
• ‌饱和特性‌：展示了在不同栅源电压下的漏源电流与漏源电压关系。
• ‌转移特性‌：展示了栅源电压与漏极电流的关系。
• ‌栅极电荷‌：展示了栅极电荷与栅源电压的关系。
• ‌电容特性‌：展示了输入电容、输出电容和反向传输电容与栅源电压的关系。

6. 设备与文档支持

• ‌文档更新通知‌：用户可以通过TI官网的产品文件夹接收文档更新通知。
• ‌社区资源‌：提供了TI E2E™在线社区的链接，供工程师交流问题和解决方案。
• ‌静电放电警示‌：提醒用户注意静电放电保护，以防损坏MOS栅极。

7. 包装与订购信息

• ‌封装类型‌：5mm×6mm的SON塑料封装。
• ‌订购信息‌：提供了器件的订购编号、封装类型、引脚数、包装数量等信息。