一文看懂Flash芯片的种类与区别

一、IICEEPROM

IICEEPROM，采用的是IIC通信协议。

IIC通信协议具有的特点：简单的两条总线线路，一条串行数据线（SDA），一条串行时钟线（SCL）；串行半双工通信模式的8位双向数据传输，位速率标准模式下可达100Kbit/s；一种电可擦除可编程只读存储器，掉电后数据不丢失，由于芯片能够支持单字节擦写，且支持擦除的次数非常之多，一个地址位可重复擦写的理论值为100万次，常用芯片型号有AT24C02、FM24C02、CAT24C02等，其常见的封装多为DIP8，SOP8，TSSOP8等。

二、SPINorFlash

SPINorFlash，采用的是SPI通信协议。有4线（时钟，两个数据线，片选线）或者3线（时钟，两个数据线）通信接口，由于它有两个数据线能实现全双工通信，因此比IIC通信协议的IICEEPROM的读写速度上要快很多。SPINorFlash具有NOR技术FlashMemory的特点，即程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行；可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以Sector为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对Sector或整片进行预编程和擦除操作。

NorFlash在擦写次数上远远达不到IICEEPROM，并且由于NOR技术FlashMemory的擦除和编程速度较慢，块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间会很长；但SPINorFlash接口简单，使用的引脚少，易于连接，操作方便，并且可以在芯片上直接运行代码，其稳定性出色，传输速率高，在小容量时具有很高的性价比，这使其很适合应于嵌入式系统中作为FLASHROM，所以在市场的占用率非常高。

常见到的S25FL128、MX25L1605、W25Q64等型号都是SPINorFlash，其常见的封装多为SOP8，SOP16，WSON8，US0N8，QFN8、BGA24等。

三、ParallelNorFalsh（CFIFlash）

ParallelNorFalsh，也叫做并行NorFlash，采用的Parallel接口通信协议。拥有独立的数据线和地址总线，它同样继承了NOR技术FlashMemory的所有特点；由于采用了Parallel接口，ParallelNorFalsh相对于SPINorFlash，支持的容量更大，读写的速度更快，但是由于占用的地址线和数据线太多，在电路电子设计上会占用很多资源。ParallelNorFalsh读写时序类似于SRAM，只是写的次数较少，速度也慢，由于其读时序类似于SRAM，读地址也是线性结构，所以多用于不需要经常更改程序代码的数据存储。

常见到的S29GL128、MX29GL512、SST39VF020等型号都是ParallelNorFlash，其常见的封装多为TSSOP32、TSOP48、BGA64，PLCC32等。

四、ParallelNandFlash

ParallelNandFlash同样采用了Parallel接口通信协议，NandFlash在工艺制程方面分有三种类型：SLC、MLC、TLC。

NandFlash技术FlashMemory具有以下特点：以页为单位进行读和编程操作，以块为单位进行擦除操作；具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms，而NOR技术的块擦除时间达到几百ms；芯片尺寸小，引脚少，是位成本（bitcost）最低的固态存储器;芯片包含有坏块，其数目取决于存储器密度。坏块不会影响有效块的性能，但设计者需要有一套的坏块管理策略！

对比ParallelNorFalsh，NandFlash在擦除、读写方面，速度快，使用擦写次数更多，并且它强调更高的性能，更低的成本，更小的体积，更大的容量，更长的使用寿命。这使NandFlash很擅于存储纯资料或数据等，在嵌入式系统中用来支持文件系统。其主要用来数据存储，大部分的U盘都是使用NandFlash，当前NandFlash在嵌入式产品中应用仍然极为广泛，因此坏块管理、掉电保护等措施就需要依赖NandFlash使用厂家通过软件进行完善。

常见到的S34ML01G100、MX30LF2G18AC、MT29F4G08ABADA等型号都是ParallelNandFlash，其常见的封装多为TSOP48、BGA63、BGA107，BGA137等。

五、SPINandFlash

SPINandFlash，采用了SPINorFlash一样的SPI的通信协议，在读写的速度上没什么区别，但在存储结构上却采用了与ParallelNandFlash相同的结构，所以SPInand相对于SPInorFlash具有擦写的次数多，擦写速度快的优势，但是在使用以及使用过程中会同样跟ParallelNandFlash一样会出现坏块，因此，也需要做特殊坏块处理才能使用；

SPINandFlash相对比ParallelNandFlash还有一个重要的特点，那就是芯片自己有内部ECC纠错模块，用户无需再使用ECC算法计算纠错，用户可以在系统应用当中可以简化代码，简单操作；

常见到的W25N01GVZEIG、GD5F4GQ4UBYIG、F50L1G41A等型号都是SPINandFlash，其常见的封装多为QFN8、BGA24等。

六、eMMCFlash

eMMC采用统一的MMC标准接口，自身集成MMCController，存储单元与NandFlash相同。针对Flash的特性，eMMC产品内部已经包含了Flash管理技术，包括错误探测和纠正，Flash平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术。MMC接口速度高达每秒52MBytes，eMMC具有快速、可升级的性能，同时其接口电压可以是1.8v或者是3.3v。

eMMC相当于NandFlash+主控IC，对外的接口协议与SD、TF卡一样，主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的NAND供应商来说，同样的重要。

eMMC由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC（多媒体卡）接口、快闪存储器设备（NandFlash）及主控制器，所有都在一个小型的BGA封装，最常见的有BGA153封装;我们通常见到的KLMAG8DEDD、THGBMAG8B4JBAIM、EMMC04G-S100等型号都是eMMCFlash。eMMCFlash存储容量大，市场上32GByte容量都常见了，其常见的封装多为BGA153、BGA169、BGA100等。

七、USF2.0

JEDEC在2013年9月发布了新一代的通用闪存存储器标准USF2.0，该标准下得闪存读写速度可以高达每秒1400MB，这相当于在两秒钟内读写两个CD光盘的数据，不仅比eMMC有更巨大的优势，而且它甚至能够让电脑上使用的闪存存储介质固态硬盘也相形见绌。UFS闪存规格采用了新的标准2.0接口，它使用的是串行界面，很像PATA、SATA的转换，并且它支持全双工运行，可同时读写操作，还支持指令队列。相对之下，eMMC是半双工，读写必须分开执行，指令也是打包，在速度上就已经是略逊一筹了，而且UFS芯片不仅传输速度快，功耗也要比eMMC5.0低一半，可以说是日后旗舰手机闪存的理想搭配。目前仅有少数的半导体厂商有提供封装成品，如三星、东芝电子等。