在本文中,我们不涉及关于EMC的设计建议。然而,在组件水平上,所使用的技术所固有的“锁存”现象是唯一考虑的因素。
CMOS结构封装括一个PNPN可控硅类型单元,由VDD和VSS之间的寄生晶体管产生。当寄生可控硅被扰动激活,导致了µC的电源短路,并导致内部结构的破坏时,就会出现一种延迟现象。以下的条件可能会导致“锁存”:
ü输入/输出电压的电压高于VDD或低于VSS的电压。
ü电源电压VDD比VDDMax高
ü电源VDD急剧变化。
µC有对静电保护,输入是在内部配置保护网络,通过对VDD和VSS并联钳位二极管和串联电阻进行保护。
然而,这种内部保护电路必须在设计层面上的预防措施来完成。建议:
ü保持µC在其额定范围内的电源电压。
ü在连接器的引脚上直接放置一个静电电容,以得到保护。
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原文标题:MCU健壮性设计之EMC / ESD的要求
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