科锐与安世半导体签署 GaN 功率器件专利授权协议
近日，科锐（NASDAQ:CREE）宣布与荷兰Nexperia公司签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。通过这一协议，Nexperia将有权使用科锐GaN氮化镓功率器件专利组合，包括了超过300项已授权美国和国外专利，涵盖了HEMT（高电子迁移率场效晶体管）和GaN氮化镓肖特基二极管的诸多创新。这一专利组合针对新型器件结构、材料和工艺提升，以及封装技术。这一专利授权不包括技术转让。
科锐联合创始人兼Wolfspeed首席技术官JohnPalmour表示：“科锐创立以来，对包括GaN氮化镓和SiC碳化硅在内的新型化合物半导体材料进行了深入研究，并利用它们的独特性能开发出新型器件。基于科锐数十年创新成果的器件，帮助实现新型电源管理和无线系统的市场导入。为了加速这类新市场的增长，科锐正在对用于GaN氮化镓电源管理系统的GaN氮化镓功率器件专利开展授权。”
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原文标题：科锐与Nexperia签署GaN功率器件专利授权协议
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