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三星FinFET制程被判侵权,将赔偿4亿美元

半导体动态 来源:网络整理 作者:工程师吴畏 2018-06-20 14:19 次阅读

韩国三星为了多元化营收来源,这两年晶圆代工业务为重点发展项目,2018年率先推出7纳米EUV制程,抢在台积电、格罗方德与英特尔之前推出。但三星如今似乎“吃紧弄破碗”,FinFET制程惹上了麻烦。根据韩国媒体报导,上周三星被美国法院判决,侵犯自家韩国科学技术院(KAIST)的专利,需赔偿4亿美元。但三星对此表示不服,将再提出上诉。

报导指出,三星与KAIST在FinFET制程的争议已久。KAIST在本次诉讼表示,当时还在KAIST工作的教授Lee Jong-ho,2001年向三星展示过FinFET技术,但三星起初对FinFET制程并不在意,直到后来看到英特尔FinFET量产之后,三星也加快FinFET制程开发。三星就使用了Lee Jong-ho教授的FinFET制程为基础,改进本身的FinFET制程,2011年推出跟Lee Jong-ho教授研发的FinFET制程相近的FinFET制程技术。

就因为这样,KAIST跟三星结下了梁子。2016年,KAIST在美国德州知识产权局控告三星,宣称三星FinFET制程侵犯了他们的专利权。三星回应表示,他们是跟KAIST合作开发FinFET制程,并质疑KAIST的FinFET专利有效性。不过,陪审团没有听三星的理由,最终在上周判决三星侵犯KAIST的FinFET专利权成立,需赔偿KAIST约4亿美元。

对审判结果,美国德州知识产权局陪审团认为,三星侵权是故意的,4亿美元的赔偿还不是最后结果,未来甚至有可能被判最重罚款12亿美元。三星方面则对判决表示不服,指出将考虑所有可能的选项,以在未来上诉后获得合理的判决。此外,这起侵权案还涉及高通与格罗方德,他们也被判侵权成立。不过,法院方面并没有要求他们赔偿任何损失。

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