0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三家独大!在晶体管产业谁更厉害?

半导体动态 来源:网络整理 作者:工程师吴畏 2018-07-10 16:31 次阅读

由于晶体管制造的复杂性,每代晶体管制程针对不同用途的制造技术版本,不同厂商的代次间统计算法也完全不同,单纯用代次来比较并不准确。根据目前业界常用晶体管密度来衡量制程水平,英特尔最新10nm制程的晶体管密度堪比三星 EUV版本7nm制程。

英特尔发挥IDM优势,优化电路设计达到比肩三星 7nm EUV微缩效果

根据技术指标(如下图所示)可以看出,三星 7nm采用EUV后,明显的贡献在三星 7nm EUV的鳍片间距仅为英特尔的80%左右,然而英特尔的解决方案则是借由设计端的优化。

三家独大!在晶体管产业谁更厉害?

例如减少Dummy Gate数量及Gate触点位置设计在晶体管上方(Contact on active gate,COAG)等,不仅获得良好的微缩效果更可减少制造端在制程上的负担,使得英特尔 10nm闸极间距及金属间距比肩三星 7nm EUV,并成功将10nm制程的晶体管密度提升至100.8 Mtr/mm2与三星 7nm EUV的101.23 Mtr/mm2同等水平,显示三星的7nm EUV与英特尔的10nm技术水平相当。

面临英特尔及三星的竞争,台积电仍有其优势

英特尔展示第三代10nm技术,向市场展现EUV并非制程微缩至10nm的必要条件,因此单就设计开发能力英特尔仍维持领先水平,台积电则因多年来服务代工客户的经验累积出完善的设计规范(design rule)有助于客户快速客制化芯片,最重要的是其稳定的良率表现深受客户信赖。

三星则倾向挑战领先同业采用EUV,以此提升自身制程技术来吸引客户投单,然而从英特尔采用EUV的保守态度来看,EUV很可能仍有其不稳定因素存在(如缺乏商用光化图形光罩检测及EUV光罩护膜准备不及等),三星能否驾驭EUV仍是一下挑战,在此状况下,客户倾向采用能快速客制化良率稳定的台积电机会最高。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 英特尔
    +关注

    关注

    60

    文章

    9851

    浏览量

    171218
  • 三星电子
    +关注

    关注

    34

    文章

    15843

    浏览量

    180850
  • 台积电
    +关注

    关注

    43

    文章

    5594

    浏览量

    165947
  • 晶体管
    +关注

    关注

    77

    文章

    9596

    浏览量

    137601
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    晶体管的输出特性是什么

    晶体管的输出特性是描述晶体管输出端对外部负载的特性表现,这些特性直接关系到晶体管各种电路中的应用效果和性能。
    的头像 发表于 09-24 17:59 334次阅读

    NMOS晶体管和PMOS晶体管的区别

    NMOS晶体管和PMOS晶体管是两种常见的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)类型,它们多个方面存在显著的差异。以下将从结构、工作原理、性能特点、应用场景等方面详细阐述NMO
    的头像 发表于 09-13 14:10 1427次阅读

    CMOS晶体管和MOSFET晶体管的区别

    CMOS晶体管和MOSFET晶体管电子领域中都扮演着重要角色,但它们结构、工作原理和应用方面存在显著的区别。以下是对两者区别的详细阐述。
    的头像 发表于 09-13 14:09 914次阅读

    晶体管处于放大状态的条件是什么

    晶体管是一种半导体器件,广泛应用于电子设备中。它具有个主要的引脚:基极(B)、发射极(E)和集电极(C)。晶体管的工作原理是通过控制基极和发射极之间的电流,来控制集电极和发射极之间的电流。
    的头像 发表于 07-18 18:15 1111次阅读

    什么是NPN晶体管?NPN晶体管的工作原理和结构

    NPN晶体管是最常用的双极结型晶体管,通过将P型半导体夹在两个N型半导体之间而构成。 NPN 晶体管具有个端子:集电极、发射极和基极。 NPN晶体
    的头像 发表于 07-01 18:02 3747次阅读
    什么是NPN<b class='flag-5'>晶体管</b>?NPN<b class='flag-5'>晶体管</b>的工作原理和结构

    PNP晶体管符号和结构 晶体管测试仪电路图

    PNP晶体管是一种双极性晶体管,用于电子电路中放大、开关和控制电流的器件。与NPN晶体管相对应,PNP晶体管的结构特点在于其个不同的半导体
    的头像 发表于 07-01 17:45 1690次阅读
    PNP<b class='flag-5'>晶体管</b>符号和结构 <b class='flag-5'>晶体管</b>测试仪电路图

    晶体管种工作状态

    晶体管作为现代电子技术的基石,其工作状态直接影响电子设备的性能和功能。晶体管通常具备种基本的工作状态:截止状态、放大状态和饱和状态。这种状态不仅决定了
    的头像 发表于 05-28 14:53 1173次阅读

    如何判断晶体管是否放大状态中

    的基本原理、工作特性以及常见的判断方法。本文中,我们将从以下几个方面详细介绍晶体管的放大状态判断方法。 首先,我们需要了解晶体管的基本原理。晶体管主要由
    的头像 发表于 02-27 17:04 1191次阅读

    晶体管放大时,各级电位状态是什么

    级。 晶体管放大电路中,输入级负责接收输入信号,并将其放大输出给中间级。中间级继续放大信号并将其输出给输出级,最后输出级将信号放大到所需的幅值,并输出给负载。 每个级别的晶体管中,
    的头像 发表于 02-27 16:51 1045次阅读

    晶体管种工作状态及其特点

    晶体管种工作状态及其特点  晶体管是一种半导体器件,常用于电子电路中作为放大器、开关等功能的实现。晶体管具有种基本的工作状态,包括截止
    的头像 发表于 02-02 17:06 3484次阅读

    特殊类型晶体管的时候如何分析?

    管子多用于集成放大电路中的电流源电路。 请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析?按照我的理解,含有多发射极或多集电极的晶体管电路时,如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中
    发表于 01-21 13:47

    如何根据管脚电位判断晶体管

    的基本结构和工作原理 晶体管个区域组成,分别是发射区(emitter)、基极区(base)和集电区(collector)。通过控制基极电流,可以控制集电区的电流,从而实现电信号的放大和控制。基极、发射极和集电极是晶体管
    的头像 发表于 01-09 17:29 1818次阅读

    晶体管种工作状态介绍

    晶体管是一种半导体器件,它具有放大和开关功能。电子电路中,晶体管的应用非常广泛,可以说是现代电子设备的核心元件之一。晶体管的工作状态主要有
    的头像 发表于 01-03 15:08 4164次阅读
    <b class='flag-5'>晶体管</b>的<b class='flag-5'>三</b>种工作状态介绍

    晶体管个极的电压关系大小

    晶体管是一种半导体器件,用于放大电信号、开关电路和逻辑运算等。它是现代电子技术和计算机科学的核心之一。晶体管中,有个电极:基极、发射极和集电极。这
    的头像 发表于 12-20 14:50 5635次阅读

    晶体管种接法的特点

    晶体管种接法的特点  晶体管是一种常见的电子元器件,具有开关和放大功能。根据不同的接法,晶体管的特点也会有所不同。一般来说,晶体管的接法分
    的头像 发表于 12-12 14:23 1454次阅读