热功率器件设计的方案介绍
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
Intersil
+关注
关注
5文章
229浏览量
72252
发布评论请先 登录
相关推荐
功率器件热设计基础（一）——功率半导体的热阻
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高
功率器件热设计基础（三）——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高
功率器件热设计及散热计算
当前，电子设备的主要失效形式就是热失效。据统计，电子设备的失效有55％是温度超过规定值引起的，随着温度的增加，电子设备的失效率呈指数增长。所以，功率器件热设计是电子设
发表于 10-09 14:09
•7313次阅读
功率器件封装结构热设计介绍
尤其是在目前功率器件高电压、大电流和封装 体积紧凑化的发展背景下，封装器件的散热问题已 变得尤为突出且更具挑战性。芯片产生的热量 会影响载流子迁移率而降低器件性能。此外，高温 也会增加
功率器件的热网络模型简析
大功率电子器件应用范围十分广泛，散热会影响其可靠性，因此需要模拟元件在各种工作状态下的随时间变化的温度曲线。本文将简单介绍一种能够实时监测并预测结温的热网络模型。
功率器件的热设计基础（二）——热阻的串联和并联
/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高
功率器件热设计基础（五）——功率半导体热容
/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高
工商网监
评论