高频驱动，有利于外围元器件的小型化

罗姆于2012年3月份于全球首家开始量产内置功率半导体元件全部由碳化硅组成的全SiC功率模块。其后，产品阵容不断扩大，并拥有达1200V、300A的产品，各产品在众多领域中被广为采用。随着新封装的开发， 罗姆继续扩充产品阵容，如今已经拥有覆盖IGBT模块市场主要额定电流范围100A～600A的全SiC模块产品。利用这些模块，可大幅提升普通同等额定电流IGBT模块应用的效率，并可进一步实现小型化。

开关损耗大幅降低，可进一步提升大功率应用的效率

罗姆利用独有的内部结构并优化散热设计开发出新型封装，从而开发并推出了600A额定电流的全SiC功率模块产品。由此，全SiC功率模块在工业设备用大容量电源等更大功率产品中的应用成为可能。另外，与普通的同等额定电流的IGBT模块相比，Tj＝150℃时的开关损耗降低了64%（与市面上销售的IGBT模块产品技术规格书中的数据比较）。

高频驱动，有利于外围元器件的小型化

在PWM逆变器驱动时的损耗仿真中，与同等额定电流的IGBT模块相比，相同开关频率的损耗在5kHz时减少30%、20kHz时减少55%，总体损耗显著降低。在20kHz时，散热器所需尺寸可比预期小88%。另外，通过高频驱动，可使用更小体积的外围无源器件，可进步一实现设备的小型化。

全SiC功率模块的产品阵容

※产品阵容中还包括斩波型产品。

关于新产品的详细信息，请联系罗姆销售部门或点击这里。

ROHM还提供可轻松评估全SiC功率模块栅极驱动器评估板。