0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三星首次分享了基于EUV技术的7nm工艺细节

LEtv_chukongkua 来源:未知 作者:李倩 2018-06-22 15:53 次阅读

本周在火奴鲁鲁举行的VLSI(超大规模集成电路)研讨会上,三星首次分享了基于EUV技术的7nm工艺细节。

EUV在半导体领域的应用已经研发了将近30年之久,终于在2018年看到曙光,三星称风险试产年底启动。考虑到风险试产到最终量产大约要维持1年的时间,所以年底和明年初的Exynos和骁龙芯片将暂时无缘7nm EUV。

三星此前已经透露,和高通在合作10nm的改良版8nm,传言首发会是骁龙730。

回到三星的7nm EUV(极紫外光刻),就是使用波长13.5nm的紫外线(波长范围是10~400nm)取代现在的193nm ArF(氟化氩)浸没式光刻,从而使得晶体管更加精密。

ArF光刻机ASML(阿斯麦)和尼康都可以造,但是功率250W的EUV光刻机,全球就只有ASML(阿斯麦)提供的NXE-3400。

技术指标方面,三星7nm EUV的栅极间距是54nm,鳍片间距是27nm,前者居然只是Intel 10nm的水平。相较目前10nm LPP的骁龙845、Exynos 9810,三星7nm EUV的芯片面积将缩小40%。

不过,三星称,新工艺晶体管的性能将比去年首秀时最多提升20%,功耗最多下降50%。

另外,7nm EUV的好处还在于,比多重曝光的步骤要少,也就是相同时间内的产量将提升。当然,这里说的是最理想的情况, 比如更好的EUV薄膜以减少光罩的污染、自修正机制过关堪用等。三星称,7nm EUV若最终成行,将被证明是成本更优的方案。

如今,三星已经生产出基于7nm EUV的SRAM测试芯片,容量256Mb,大小0.0262平方微米。三星还透露,基于7nm的四核CPU、6核GPU都可以功能化运行了。

对手方面,台积电号称已经投产第一代7nm CLN7FF,性能提升30%,功耗降低60%。不过,EUV需要等到CLN7FF+时导入,所以理论上苹果A12无缘。

GF的7nm LP指标是栅极间距56nm,鳍片间距30nm,性能提升40%,功耗降低55%,预计将用在AMD Zen2处理器上。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 三星电子
    +关注

    关注

    34

    文章

    15855

    浏览量

    180914
  • EUV
    EUV
    +关注

    关注

    8

    文章

    603

    浏览量

    85963

原文标题:三星公布7nm EUV技术细节:年底预试产、栅极间距54nm

文章出处:【微信号:chukongkuaixun,微信公众号:扩展触控快讯】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    今日看点丨 2011亿元!比亚迪单季营收首次超过特斯拉;三星将于2025年初引进High NA EUV光刻机

    科技巨头在先进半导体制造领域取得重大进步。这项由荷兰ASML独家提供的尖端技术对于2nm以下的工艺至关重要。韩国行业观察人士预计,三星将加快其1nm
    发表于 10-31 10:56 781次阅读

    三星电子:18FDS将成为物联网和MCU领域的重要工艺

    电子发烧友网报道(文/吴子鹏)今年上半年,三星在FD-SOI工艺上面再进一步。3月份,意法半导体(STMicroelectronics)宣布与三星联合推出18nm FD-SOI
    发表于 10-23 11:53 227次阅读
    <b class='flag-5'>三星</b>电子:18FDS将成为物联网和MCU领域的重要<b class='flag-5'>工艺</b>

    所谓的7nm芯片上没有一个图形是7nm

    最近网上因为光刻机的事情,网上又是一阵热闹。好多人又开始讨论起28nm/7nm的事情有意无意之间,我也看了不少网上关于国产自主7nm工艺
    的头像 发表于 10-08 17:12 216次阅读
    所谓的<b class='flag-5'>7nm</b>芯片上没有一个图形是<b class='flag-5'>7nm</b>的

    三星展望2027年:1.4nm工艺与先进供电技术登场

    在半导体技术的竞技场上,三星正全力冲刺,准备在2027年推出一系列令人瞩目的创新。近日,三星晶圆代工部门在三星代工论坛上公布其未来几年的
    的头像 发表于 06-21 09:30 363次阅读

    三星与新思科技携手,备战2nm工艺量产

    在全球半导体行业迈向更高精度和更小尺寸的征途上,三星与新思科技近日宣布一项重要的合作。这一合作旨在确保三星的2nm制造工艺能够顺利实现量产
    的头像 发表于 06-20 09:22 465次阅读

    三星公布最新工艺路线图

    : 1. **新节点和技术进展**:三星宣布两个新的尖端节点——SF2Z 和 SF4U。SF2Z 是一种2nm工艺,采用背面电源输送网络(
    的头像 发表于 06-17 15:33 343次阅读
    <b class='flag-5'>三星</b>公布最新<b class='flag-5'>工艺</b>路线图

    消息称三星第二代3nm产线将于下半年开始运作

    三星电子近日宣布,将在7月的巴黎Galaxy Unpacked活动中,向全球展示其最新研发的3nm技术芯片Exynos W1000。这款尖端芯片将
    的头像 发表于 05-14 10:27 407次阅读

    三星3nm移动应用处理器实现首次流片

    据行业内部可靠消息,三星已成功完成了其先进的3nm移动应用处理器(AP)的设计,并通过自家代工部门实现这一重要产品的首次流片。这一里程碑式的进展不仅标志着
    的头像 发表于 05-09 09:32 380次阅读

    三星电子:加快2nm和3D半导体技术发展,共享技术信息与未来展望

    技术研发领域,三星电子的3nm与2nm工艺取得显著进步,预计本季度内完成2nm设计基础设施的开
    的头像 发表于 04-30 16:16 475次阅读

    2024年全球与中国7nm智能座舱芯片行业总体规模、主要企业国内外市场占有率及排名

    和排名,主要统计指标包括7nm智能座舱芯片产能、销量、销售收入、价格、市场份额及排名等,企业数据主要侧重近年行业内主要厂商的市场销售情况。地区层面,主要分析过去五年和未来五年行业内主要生产地区和主要消费
    发表于 03-16 14:52

    三星电子3nm工艺良率低迷,始终在50%左右徘徊

    据韩国媒体报道称,三星电子旗下的3纳米工艺良品比例仍是一个问题。报道中仅提及“3nm”这一笼统概念,并没有明确指出具体的工艺类型。知情者透
    的头像 发表于 03-07 15:59 717次阅读

    三星与Arm携手,运用GAA工艺技术提升下一代Cortex-X CPU性能

    三星继续推进工艺技术的进步,近年来首次量产基于2022年GAA技术的3nm MBCFET ™
    的头像 发表于 02-22 09:36 609次阅读

    三星第二代3nm工艺开始试产!

    据报道,三星预计在未来6个月时间内,让SF3的工艺良率提高到60%以上。三星SF3工艺会率先应用到可穿戴设备处理器上,三星Galaxy Wa
    的头像 发表于 01-29 15:52 604次阅读

    一文详解芯片的7nm工艺

    芯片的7nm工艺我们经常能听到,但是7nm是否真的意味着芯片的尺寸只有7nm呢?让我们一起来看看吧!
    的头像 发表于 12-07 11:45 5401次阅读
    一文详解芯片的<b class='flag-5'>7nm</b><b class='flag-5'>工艺</b>

    三星曝光技术大进展!

    据报导,三星已主要客户的部分先进 EUV 代工生产在线导入 EUV 光罩护膜。虽然三星也在 DRAM 生产线中采用 EUV 制程,但考虑到生
    的头像 发表于 12-05 15:09 891次阅读