如何选择一款“极耐寒”的非易失性内存

首先想要给烧友们介绍下什么是非易失性内存？是指当电流关掉后，所存储的数据不会消失者的电脑存储器。

非易失性存储器中，依存储器内的数据是否能在使用电脑时随时改写为标准，可分为二大类产品，即ROM和Flash memory。

ROM（Read-only memory，只读内存）

PROM（Programmable read-only memory，可编程只读内存）

EAROM（Electrically alterable read only memory，电可改写只读内存）

EPROM（Erasable programmable read only memory，可擦可编程只读内存）

EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory，电可擦可编程只读内存）

Flash memory（闪存)

那么非易失性内存的运行环境又是怎么样的呢？根据数据统计普通内存的运行稳定温度是-30摄氏度左右，而富士通电子元器件（上海）有限公司推出新款 64-Kbit FRAM —— MB85RS64TU。该款内存能在 -55℃ 中正常运行，为富士通电子旗下首款能耐受如此低温的 FRAM 非易失性内存，现已量产供货。

相信烧友们也一样对这款能在超低温下运行的内存十分感兴趣，那我们接下来就走进其世界一起去探究下。

MB85RS64TU 支持1.8V至3.6V的极广范围电源电压。其工作温度更是超越竞争对手，最低达到 -55℃。由于它能在运行温度范围内保证10兆次的读/写周期，故适合用于在极寒地区挖掘天然气与石油的设备、机械等产业机械。

MB85RS64TU 也适用于例如测量设备、流量计、及机器人等的一般工业应用。

20年来，富士通量产各种 FRAM 非易失性内存产品，具备高速写入运行、极高的读/写耐用度、及低功耗等特色。值得一提的是，FRAM 产品保证 10兆次的读/写周期，约为非易失性内存 EEPROM 的1千万倍。因此许多需要频繁覆写数据的工业应用，像实时数据记录与3D位置数据记录等，都采用富士通电子的 FRAM 产品。

MB85RS64TU 进一步延伸现有产品 -40℃ 的低温极限。新款产品的开发目标，是为满足客户对于产业机械搭载的内存必须能在极度寒冷的环境下运行的需求。

FRAM 产品已推出业界标准的 SOP8 封装，使其能轻易取代8针脚SOP封装的EEPROM。此外，还提供拥有2.00 x 3.00 x 0.75 mm极小尺寸的SON8封装。SON的表面贴装面积仅为SOP封装的30%，而贴装体积更仅为SOP的13%。


SOP与SON封装的MB85RS64TU

去年，富士通电子推出能在125°C环境中运作的FRAM产品，扩展运行温度的高温极限；此次开发出的 -55°C产品，则扩展运行温度的低温极限。

富士通电子致力于开发最适合客户应用的内存产品，为此我们将持续提供产品与解决方案，协助客户的各种应用发挥更好的价值与便利性。

产品规格

组件料号：MB85RS64TU

密度 (组态)：64Kbit (8K x 8 位)

界面：SPI (Serial peripheral interface)

运作频率：10MHz（Max）

运作电压：1.8V - 3.6V

运作温度范围：-55°C ~ +85°C

读/写耐用度：10 兆次 (1013 次)

封装规格：SOP8，SON8

MB85RS64TU数据表