继2017年DRAM,NAND Flash双双出现价量齐扬,推升全球半导体销售额强劲成长,并首度超越4,000亿美元大关之后,2018年DRAM,NAND Flash价格则呈现两涨情,出现一涨一跌的局面,其中的关键则是供给端的部分,特别是国际大厂是否突破制程瓶颈,将攸关整体市场的供需结构。
首先在DRAM市场方面,2018年三星将DRAM产线转换为影像感测器产线,使DRAM投片量减少,不过减少的部分将由华城16产线与平泽1厂二楼的增设投资弥补,但整体而言,2018年三星的新增DRAM产能仍是有限,加上SK Hynix的新厂产能恐须待2019年才可望量产,甚至来自于中国DRAM产能的开出,仍有相当的疑虑,因而2018年全球DRAM供给端的增加依旧在可控制的范围内。而2018年全球DRAM需求端除手机配备持续提高之外,资料中心布建需求亦是推动来源,更重要的是,虽然中国对于挖矿热祭出重罚,不过比特大陆将推出以太矿机,一个特殊应用积体电路晶片就需搭载172颗1 GB的DDR3晶粒,借以提升运算效能来看,仍有利于2018年全球DRAM的需求表现。
综而言之,由于2018年底前国际三大DRAM厂新产能开出极为有限,仅靠制程微缩增加的部分,因此2018年以来全球DRAM价格仍延续2016年下半年以来上扬的走势,不管是首季或是第二季,DRAM价格季增率均达到5〜10%,显然DRAM市况优于年初预期。
另外2018年DRAM市场值得留意的尚有中国发展的态势,尽管中国在无技术授权来源,记忆体人才短缺之下,2018年底〜2019年中国要进入记忆体国产化的量产恐有疑虑;不过为此,中国官方也频频出招,即中国反垄断机构已经盯上三星,SK海力士与美光等三家DRAM大厂,甚至传出恐面临8亿〜80亿美元的罚款,表面上虽然在解决中国终端应用厂商面临记忆体飙涨的窘境,但实际上恐是预留未来中国记忆体厂争取谈判的筹码;事实上,因先前中国智慧型手机企业饱受记忆体产品短缺的困恼,且记忆体对国家资讯安全的重要性高,更何况记忆体为中国实现半导体自给率提升的重要关键产品,特别是受到中兴电讯事件的影响,更加激起对岸发展半导体核心产品的动能,故中长期来说,中国势必会竭尽所能积极发展记忆体,此决心仍不容忽视。
其次在NAND FLASH市场方面,尽管受惠于智慧型手机支持容量与服务器需求的带动,以及SSD的渗透率提高,拉抬对NAND Flash的需求,但2018年以来全球NAND Flash市场已呈现供过于求的局面,主要是国际大厂加速更高层堆迭及四阶储存单元(QLC)产品开发,以求提升3D NAND储存密度及降低生产成本,故以32G(4G * 8)MLC(美元/个)收盘价而言,则由2017年8月的3.10美元/个降至2018年5月的2.74美元/个,甚至2018年第三季全球NAND价格恐难以反转向上,主要系因更多64层和72层3D NAND产能相继释出,甚至单颗容量更大,成本更具竞争力的3D-QLC Flash技术,预计最快2018年下半迈入量产所致。
值得一提的是,东芝记忆体标售案已于2018年5月中旬获得中国核准,整体交易案确定于2018年6月1日完成,也意谓Bain Capital,SK Hynix,日本政策投资银行DBJ)及日本产业革新机构(INCJ)等将陆续入主,美日韩联盟俨然成立,但复杂的股权交易与多头马车式资本组成,是否能有效提升Toshiba记忆体全球NAND Flash的市场竞争力,以及未来东芝记忆体如何与WD继续合作,运用此结盟关系,将有待后续观察。
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原文标题:【存储】2018年全球DRAM,NAND Flash价格一跌一涨
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