Qorvo近日宣布推出针对下一代有源电子扫描阵列 (AESA) 雷达设计的高性能 X 频段前端模块 (FEM) ——QPM2637和QPM1002。这些符合出口标准的氮化镓 (GaN) 产品也符合任务关键型操作所必需的高 RF 功率生存性要求。
预计到 2022 年,适合雷达应用的 RF 前端组件的需求量将超过 10 亿美元,未来五年的复合年增长率为 9%。由于 GaN 普及率明显超过其他技术选项,因此预计未来五年,国防应用的 RF GaN 器件市场(如雷达、电子战和通信)的复合年增长率将达到 24%。
Qorvo 的新型 FEM(QPM2637 和 QPM1002)采用公司的创新 GaN 技术构建,可实现更高的效率、可靠性、功率和生存性,同时可缩减尺寸、重量和成本。
GaN FEM 在紧凑的单封装中集成了四种功能,包括RF 开关、功率放大器、低噪声放大器和限幅器。典型的砷化镓 (GaAs) 低噪声放大器在不到 100mW 的输入功率条件下都会受损,与之相比,GaN FEM 的接收端可承受最高 4W 的输入功率,且不会造成永久损坏。
“Qorvo 高性能解决方案总经理 Roger Hall 表示:“利用 Qorvo 经过现场验证的 GaN 技术,客户可解决许多 AESA 雷达系统设计相关挑战,包括提高功率输出和可靠性。新推出的 GaN 模块符合出口要求,提升了我们交付最高级别集成产品(四合一产品)的能力,有助于客户针对任务关键性雷达系统选择尺寸最小但性能最高的 FEM。”符合资格的客户现在可索取这些符合 EAR99 出口要求的新产品样品。更多信息,请点击“阅读原文”进行访问。
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原文标题:新品丨Qorvo四合一封装超紧凑GaN X频段前端模块了解一下?
文章出处:【微信号:Qorvo_Inc,微信公众号:Qorvo半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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