联电3日公告,大陆福州中级人民法院对美光提出禁止令,要美光在与联电专利侵权诉讼期间,停止美光半导体(西安)及美光半导体(上海)各12项及17项产品生产及销售。
美商美光是全球第三大记忆体厂,据悉,美光大陆业务占比超过五成。近期美中贸易大战持续升温,福州中级人民法院此时对美光发出产品禁产禁销令,市场揣测可能是大陆官方藉由削弱美国指标企业来制衡美方。对此,联电财务长暨发言人刘启东表示,目前案件仍在诉讼中,联电无法对此置评。
台厂发展记忆体,多需仰赖国际大厂技术授权,美光曾是台塑集团发展DRAM的技术伙伴,之后收购双方合资的华亚科。联电此次在与美光专利诉讼案先驰得点,凸显台厂在记忆体专利开发能量获肯定。至截稿前,无法取得美光回应。
刘启东表示,联电与美光在大陆的专利侵权诉讼仍进行中,福州市中级人民法院为防止未来调查期间,联电在专利权方面的权利可能持续受到侵害,因此先在案件调查期间提出禁止令,但不代表联电在专利诉讼中胜诉。
此次福州市中级人民法院公布的主要内容提到,美光半导体(西安)公司立即停止制造、销售、进口铂胜运动Ballistix铂胜台式内存DDR4 2400 8G等12项产品;美光半导体销售(上海)公司立即停止销售、进口Crucial英睿达DDR4 2400 8G等17项产品。另外,厦门市思明区信通源电脑经营部立即停止销售Crucial英睿达MX300 2.5英吋SSD 525GB固态硬碟芯片。
美光3日ADR一度下跌逾1.7%,随即拉至平盘附近,联电ADR早盘也在平盘附近震荡。
联电与美光之间的专利诉讼,起源于***美光何姓和王姓二名员工先后跳槽联电,由于联电计画与大陆福建晋华科技合作生产32纳米DRAM,***美光认为何、王两名员工盗取机密技术资料,去年2月在***对联电提出告诉,并于去年9月也在美国对联电提起同案专利诉讼。
联电今年1月开始反制,在大陆对美光提出三款产品侵权,也就是昨日福州市中级人民法院做出禁止令的案件。
前程提要:联电在国内对美光提起 3 起诉讼!
今年年初,联电分别向福州市中级人民法院递状,对美光半导体(西安)、美光半导体销售(上海)、厦门市思明区信通源电脑经营部、厦门安泰胜电子科技等公司提起 3 起诉讼,请求赔偿金额总计人民币 2.7 亿元。
此外,联电请求法院判令相关被告停止制造、加工、进口、销售、许诺销售被诉侵权产品之行为,并销毁全部库存及相关模具与工具。
据悉,联电不仅控告美光侵犯其多项专利,并主张美光制造、生产、销售的 Crucial DDR4 2400 8G 笔记型电脑存储器、Crucial MX300 2.5-inch SSD 525GB 固态硬盘与七彩虹 iGame1080 烈焰战神 X-8GD5X 显卡中的显卡存储芯片涉嫌侵害联电在中国大陆的专利。
联电表示,公司长期投入大量资源和人力,研发半导体制造技术,成果用于逻辑芯片或存储器芯片(DRAM),历年来已经在各国提出申请,并获得多项专利,也不断关注公司专利在市场上的状况。而美光为国际知名公司,最近一年间对联电动作频频,明显将其与离职员工间之争议,渲染为企业间的侵害行为,并在美国起诉联电。而经过深入检视,联电发现美光公司在中国大陆销售的产品,侵害了联电的专利权,因此在中国大陆提出专利侵权诉讼,希望能获得公正裁判。
美光和联电斗争白热化,与大陆存储密切相关
其实美光和联电的竞争,就是中国想推自主DRAM和美光不想让中国发展DRAM的矛盾。早两年,联电宣布与福建省晋华集成电路公司签约合作,联电接受晋华委托开发 DRAM 相关制程技术。有关联电与晋华合作,***地检署调查系由晋华提供三亿美元资金采购研发设备,并依进度陆续支付联电四亿美元,开发成果双方共有,整体技术完成后,再转移到晋华进行量产。
因为福建晋华所深耕的DRAM,正是美光的核心产品所在,去年他们也在这个领域挣得盘满钵满,且国内是他们的重要市场,为此从某个角度看,他们不愿意看到国内在这方面的崛起,为此启动了几次的针对性诉讼。
去年12月11日,***电子时报引述行业人士报道,日前,美光科技公司在美国加州的一家联邦地方法庭提交了诉状,指控中国***的联华电子以及下属的福建省晋华集成电路公司盗用了自身的内存芯片技术。
据悉,这是美光科技罕见同时对***和大陆地区的半导体公司发起诉讼,表明其捍卫知识产权的决心。过去,***地区的半导体产业比较发达,美国公司的诉讼往往针对***公司。
原告指控称,美光科技的两位前员工通过闪存盘盗取了公司的技术资料,然后交给了新东家联华电子公司的高管,而联华电子也计划和旗下的福建晋华集成电路公司分享这些技术。
联华电子否认了美光科技的指控,表示并未侵犯第三方公司的知识产权。
行业人士指出,美光科技的诉讼,不仅仅是保护知识产权,此外也准备利用法律诉讼作为武器,阻止中国公司开发自有的DRAM内存芯片技术。
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原文标题:【今日头条】美光多款产品被大陆禁售 中美DRAM角力进入白热化阶段
文章出处:【微信号:ChinaAET,微信公众号:电子技术应用ChinaAET】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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