0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三星成功开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片,功耗降低30%

罗欣 来源:未知 作者:罗欣 2018-07-17 10:15 次阅读

7月17日上午消息,三星今晨宣布,成功开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片,基于10nm级(10~20nm)工艺。据悉,该LPDDR5内存芯片单颗容8Gb(1GB),8GB容量的模组原型也做出并完成功能验证。

其它基本规格还有,内存速度(针脚带宽)最高6400Mbps,是LPDDR4X 4266Mbps的1.5倍。三星称,每秒可以传送51.2GB数据(比如高端手机常见的64bit bus),相当于14部1080P电影(每部3.7GB)。要是PC的128bit BUS,每秒破100GB无压力。

与此同时,功耗比LPDDR4X降低高达30%,主要是得益于动态调节电压、避免无效消耗、深度睡眠等技术加入。

三星的8Gb LPDDR5规格弹性较高,1.1V工作电压下可达6400Mbps,1.05V下可达5500Mbps,供手机、车载平台自行选择。

资料显示,三星在2014年首先成功量产8Gb LPDDR4内存芯片,之后,就开始推进向LPDDR5新标准的过渡。

新的8Gb LPDDR5内存芯片是三星高端DRAM产品线的一部分,后者已经包括10nm级的16Gb GDDR6显存芯片(2017年12月量产)和16Gb DDR5内存芯片(今年2月份开发完成)。

LPDDR5内存芯片将用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等,三星称,5GAI将是其主力服务的场景。

三星将在位于韩国平泽市的工厂量产LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 三星电子
    +关注

    关注

    34

    文章

    15855

    浏览量

    180914
  • 内存芯片
    +关注

    关注

    0

    文章

    124

    浏览量

    21850
  • LPDDR
    +关注

    关注

    0

    文章

    43

    浏览量

    6314
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    三星推出业界首24Gb(3GB)GDDR7 DRAM内存芯片

    三星推出了业内24Gb(即3GB)GDDR7 DRAM内存芯片,其超高速度可达42.5Gbp
    的头像 发表于 10-22 15:13 536次阅读

    三星LPDDR4X车载内存通过高通汽车模组验证

    三星电子近日宣布了一项重要进展,其专为高级车载信息娱乐系统(IVI)及高级驾驶辅助系统(ADAS)设计的LPDDR4X车载内存成功通过高通最新骁龙数字底盘平台的严格验证。这一成就不仅
    的头像 发表于 08-27 16:02 433次阅读

    三星量产最薄LPDDR5X内存,技术再突破

    三星电子今日正式宣告,其业界领先的超薄LPDDR5X内存封装技术已进入量产阶段,再次引领内存技术潮流。此次推出的LPDDR5X
    的头像 发表于 08-07 11:21 941次阅读

    三星电子实现低功耗LPDDR5X DRAM的量产

    三星电子于6日正式宣布,其已成功实现业内领先的12纳米级低功耗双倍数据速率动态随机存储器(LPDDR5X DRAM)的量产,这款存储器以惊人
    的头像 发表于 08-06 15:30 495次阅读

    三星开始量产其最薄LPDDR5X内存产品,助力端侧AI应用

    功耗内存市场的地位。 三星LPDDR5X DRAM 凭借在芯片封装领域丰富的技术经验,三星可提
    的头像 发表于 08-06 08:32 296次阅读

    TLB成功开发出CXL内存模块PCB,并向三星和SK海力士提供首批样品

    近日,韩国上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功开发出CXL内存模块PCB,并已独家向三星电子和SK海力士提供了6以上
    的头像 发表于 05-30 11:30 727次阅读

    三星LPDDR5X DRAM内存创10.7Gbps速率新高

    值得注意的是,此前市场上其他品牌的LPDDR5X DRAM内存最高速度仅为9.6Gbps。三星表示,新款10.7Gbps LPDDR5X内存
    的头像 发表于 04-17 16:29 666次阅读

    三星推出专为人工智能应用优化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM

    近日,三星宣布已开发出支持高达10.7吉比特每秒(Gbps)的LPDDR5X DRAM。
    的头像 发表于 04-17 14:58 655次阅读

    美光LPDDR5X与UFS 4.0赋能三星Galaxy S24系列,AI体验再升级

    美光科技近日宣布,其低功耗LPDDR5X内存和UFS 4.0移动闪存存储技术已成功应用于三星Galaxy S24系列部分设备中,为全球手机用
    的头像 发表于 03-27 09:52 4635次阅读

    三星发布12层堆叠HBM3E DRAM

    近日,三星电子宣布,已成功发布其12层堆叠的高带宽内存(HBM3E)产品——HBM3E 12H,再次巩固了其在半导体技术领域的领先地位。
    的头像 发表于 02-27 14:28 1001次阅读

    三星电子与红帽成功验证CXL内存操作

      三星电子与开源软件巨头红帽(RedHat)联手,完成了在实际用户环境中的CXL(ComputeExpressLink)内存操作;此举系业内首次,将进一步扩大其 CXL 生态系统。
    的头像 发表于 12-27 15:56 724次阅读

    国产LPDDR5存储芯片来了!已在小米、传音等品牌机型上完成验证

    LPDDR5芯片是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。与上一代LPDDR4X相比,长鑫存储LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%,分
    的头像 发表于 12-06 16:30 1172次阅读

    三星将于明年量产LPDDR5T DRAM芯片

    三星将从明年开始批量生产LPDDR5T DRAM芯片三星电子副总裁Ha-Ryong Yoon最近在投资者论坛上介绍了公司状况和今后计划等。当投资者询问
    的头像 发表于 12-01 09:45 707次阅读

    长鑫存储国产LPDDR5,推动产业跨入LPDDR5领域

     相比上一代LPDDR4,长鑫的LPDDR5单颗芯片容量和速率都提升了50%,达到12Gb和6400Mbps,并且功耗
    的头像 发表于 11-29 17:34 1440次阅读

    三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工艺

    三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工艺
    的头像 发表于 11-23 18:13 982次阅读
    <b class='flag-5'>三星</b>D1a nm <b class='flag-5'>LPDDR5</b>X器件的EUV光刻工艺