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300亿美元!Yole预测RF产值2017年到2023年复合成长率达14%

章鹰观察 来源:新电子 作者:新电子 2018-07-30 09:26 次阅读
中兴通讯在前段时间遭遇美国商务部制裁,禁止采购美国芯片,有工程师专家分析,中兴通讯被禁止采购的并非是高通芯片而是射频芯片,光电通信芯片(国产只能做到10gb/S,市场占有率只有1%,主要的供应商有华为、紫光,海信,海康威视,但美国博通和日本三菱可以做到100gb/s)。射频芯片对5G的发展也是尤为重要。

5G时代即将来临,电信设备业者、芯片大厂以及手技制造商纷纷展开技术研发,以因应下世代通讯发展。过去几年LTE技术持续发展,带动行动装置的射频前端(RF front-end, RFFE)模组市场成长。而5G NR非独立式(NSA)标准出炉后,更进一步提升滤波器(Filters)、低杂讯放大器(LNA)与天线交换器(Switch)等模组需求。Yole Développement预估,整体RFFE模组市场产值将在2023年突破300亿美元。

LTE技术演进掀起RFFE模组市场第一波热潮,不过2017年底5G NR NSA标准出现,才是驱动RFFE市场大幅成长的主因。5G NR NSA在架构上采用4G/5G联合组网,并引入双连结(Dual Connectivity)技术确保设备能同时使用两个基地台的无线资源,也促使RFFE技术复杂度以及元件需求向上提升。根据市调机构Yole发布的报告,RFFE模组市场2023年市场产值达352亿美元,2017~2023年复合成长率(CAGR)为14%。

Yole电源与无线连接部门总监Claire Troadec表示,并非所有RFFE元件市场都会有一致性的成长。其中,市场占比最大的滤波器市场,2017~2023年间有望达到3倍的成长率,是所有RFFE元件成长幅度最大者。Troadec进一步分析滤波器市场成长原因,主要是受到高阶体声波(BAW)滤波器所驱动。高阶BAW滤波器因在5G NR高频段区域仍可维持良好的效能,市场渗透率不断提升。

伴随着高整合性的功率放大器(Power Amplifier, PA)模组与分集模组(Diversity Module)需求逐渐攀升,将连带提高低杂讯放大器的市场产值,Yole预估LNA市场2017~2023年CAGR将达到16%;此外,4×4多输入多输出(MIMO)天线架构使得RFFE系统设计更为复杂,进而带动RFFE分集交换器的市场需求,其CAGR亦将达到16%。

根据该报告,功率放大器将成为这波成长趋势下,市场唯一呈现持平状态的RFFE元件。其中,高阶LTE PA在高频段以及超高频段的市场成长,正好弥补其在2G/3G市场的萎缩。目前2G/3G市场主要由多模多频功率放大器(MMMB PA)所主导,MMMB PA整合度高因而降低周边元件用量。

法国半导体逆向工程顾问公司System Plus Consulting经理Stéphane Elisabeth表示,2018年对于RFFE模组供应商而言将是全新的一年,而这也可能成为部分OEM厂的转机。Elisabeth根据其观察进一步说明,2017年时是否选用双工器功率放大器模组(PAMiDs),明显区分出高阶与中阶智慧型手机,而随着各厂陆续投入5G通讯技术开发,未来高阶与中阶智慧型手机的效能差距将越来越大;高阶OEM厂也正积极开发将更多元件整合进单一装置的技术,创造更多印刷电路板(Printed Circuit Board, PCB)空间以容纳5G所需的元件。

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