0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

SiC MOSFET的驱动设计要求及应用

TI视频 作者:工程师郭婷 2018-08-20 01:10 次阅读

本课程概述了碳化硅(SiC)材料的特点以及基于SiC材料的MOSFET的卓越性能,描叙了一些SiC MOSFET的应用领域包括太阳能和电动汽车。 详细讨论了SiC MOSFET的驱动设计要求,以及简单介绍了几款TI SiC MOSFET驱动产品

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    147

    文章

    7300

    浏览量

    214639
  • 太阳能
    +关注

    关注

    37

    文章

    3438

    浏览量

    114707
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    30

    文章

    2917

    浏览量

    63084
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    沟槽型SiC MOSFET的结构和应用

    MOSFET(U-MOSFET)作为新一代功率器件,近年来备受关注。本文将详细解析沟槽型SiC MOSFET的结构、特性、制造工艺、应用及其技术挑战。
    的头像 发表于 02-02 13:49 199次阅读

    SiC MOSFET的参数特性

    碳化硅(SiCMOSFET作为宽禁带半导体材料(WBG)的一种,具有许多优异的参数特性,这些特性使其在高压、高速、高温等应用中表现出色。本文将详细探讨SiC MOSFET的主要参数特
    的头像 发表于 02-02 13:48 177次阅读

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅
    发表于 01-22 10:43

    驱动Microchip SiC MOSFET

    电子发烧友网站提供《驱动Microchip SiC MOSFET.pdf》资料免费下载
    发表于 01-21 13:59 0次下载
    <b class='flag-5'>驱动</b>Microchip <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    SiC MOSFET分立器件及工业模块介绍

    BASiC国产SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模块介绍
    发表于 01-16 14:32 0次下载

    国产SiC MOSFET,正在崛起

    来源:电子工程世界 SiC(碳化硅),已经成为车企的一大卖点。而在此前,有车企因是否全域采用SiC MOSFET,发生激烈舆论战。可见,SiC这一市场在汽车领域颇有潜力。 不过,近几年
    的头像 发表于 01-09 09:14 155次阅读
    国产<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>,正在崛起

    什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    具有决定性的影响。因此,深入理解栅极氧化层的特性,并掌握其可靠性测试方法,对于推动碳化硅 MOSFET的应用和发展具有重要意义。今天的“SiC科普小课堂”将聚焦于“栅极氧化层”这一新话题:“什么是栅极
    发表于 01-04 12:37

    SiC MOSFET如何选择栅极驱动

    硅基MOSFET和IGBT过去一直在电力电子应用行业占据主导地位,这些应用包括不间断电源、工业电机驱动、泵以及电动汽车(EV)等。然而,市场对更小型化产品的需求,以及设计人员面临的提高电源能效的压力,使得碳化硅(SiC
    的头像 发表于 01-02 14:24 699次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>如何选择栅极<b class='flag-5'>驱动</b>器

    SiC MOSFET模块封装技术及驱动设计

    碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件,具有导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗,提升系统效率,更适合应用于高频电路。碳化硅SiC
    的头像 发表于 10-16 13:52 2192次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>模块封装技术及<b class='flag-5'>驱动</b>设计

    SiC MOSFETSiC SBD的区别

    SiC MOSFET(碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)和SiC SBD(碳化硅肖特基势垒二极管)是两种基于碳化硅(SiC)材料的功率半导体器件,它们在电力电子领域具有广泛的应用。尽
    的头像 发表于 09-10 15:19 2224次阅读

    OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点

    电子发烧友网站提供《OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点.pdf》资料免费下载
    发表于 09-10 10:47 0次下载
    OBC DC/DC <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>驱动</b>选型及供电设计要点

    Littelfuse发布IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动

    近日,Littelfuse公司发布了IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器,这款新型驱动器在业界引起了广泛关注。
    的头像 发表于 05-23 11:34 821次阅读

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅
    的头像 发表于 05-23 11:26 910次阅读

    如何更好地驱动SiC MOSFET器件?

    IGBT的驱动电压一般都是15V,而SiC MOSFET的推荐驱动电压各品牌并不一致,15V、18V、20V都有厂家在用。更高的门极驱动电压
    的头像 发表于 05-13 16:10 737次阅读

    在通用PWM发电机中,可以用任何型号替换SiC MOSFET吗?

    在通用PWM发电机中,我可以用任何型号替换SiC MOSFET吗?
    发表于 03-01 06:34