基于SiC材料的MOSFET的性能及SiC MOSFET的驱动设计要求
概述了碳化硅（SiC）材料的特点以及基于SiC材料的MOSFET的卓越性能，描叙了一些SiC MOSFET的应用领域包括太阳能和电动汽车。 详细讨论了SiC MOSFET的驱动设计要求，以及简单介绍了几款TI SiC MOSFET驱动产品。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
143文章
7029浏览量
212412 -
ti
+关注
关注
112文章
7955浏览量
212008 -
SiC
+关注
关注
29文章
2722浏览量
62337
发布评论请先 登录
相关推荐
SiC MOSFET模块封装技术及驱动设计
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率
SiC MOSFET和SiC SBD的区别
SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC SBD（碳化硅肖特基势垒二极管）是两种基于碳化硅（SiC）材料的功率半导
OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点
电子发烧友网站提供《OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点.pdf》资料免费下载
发表于 09-10 10:47
•0次下载
SemiQ 1200V SiC MOSFET Module说明介绍
SiCMOSFET模块是一种基于碳化硅(SiC)材料的功率半导体器件，它结合了MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)的高效开关特性和SiC
碳化硅模块（SiC模块/MODULE）大电流下的驱动器研究
]。与传统的 IGBT 相比，第三代宽禁带半导体器件SiC MOSFET 在高开关速度、高耐压、低损耗等方
面具有优势，已成为近年来新的研究热点。电动汽车要求电驱动系统具有高功率密度、
发表于 05-14 09:57
如何更好地驱动SiC MOSFET器件？
IGBT的驱动电压一般都是15V，而SiC MOSFET的推荐驱动电压各品牌并不一致，15V、18V、20V都有厂家在用。更高的门极驱动电压
SIC MOSFET在电路中的作用是什么？
MOSFET的基本结构。SIC MOSFET是一种由碳化硅材料制成的传导类型晶体管。与传统的硅MOSFET相比，
怎么提高SIC MOSFET的动态响应？
可行的解决方案。 首先，让我们了解一下SIC MOSFET的基本原理和结构。SIC（碳化硅）MOSFET是一种基于碳化硅材料制造的金属氧化物
金升阳IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源产品优势
基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC
SiC MOSFET的封装、系统性能和应用
器件，能够像IGBT一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅MOSFET的开关频率。之前的文章中，我们介绍了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何优化SiC栅极驱动电路 。今天将带来本系列文章的第三部分
工商网监
评论