0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

中国首批32层3D NAND闪存芯片即将量产

芯资本 来源:未知 作者:胡薇 2018-08-10 09:14 次阅读

昨日长江存储正式公开了其突破性技术——XtackingTM。据悉,该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能,更高的存储密度,以及更短的产品上市周期。同时,该技术可应用于智能手机、个人计算、数据中心和企业应用等领域,并将开启高性能、定制化NAND解决方案的全新篇章。

目前,长江存储已成功将Xtacking TM技术应用于其第二代3D NAND产品的开发,该产品预计于2019年进入量产阶段。

据长江存储介绍,采用XtackingTM,可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺,以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后,创新的XtackingTM技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂直互联通道)将二者键合接通电路,而且只增加了有限的成本。

传统3D NAND架构中,外围电路约占芯片面积的20~30%,降低了芯片的存储密度。随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高,外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。XtackingTM技术将外围电路置于存储单元之上,从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。

XtackingTM技术充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势,实现了并行的、模块化的产品设计及制造,产品开发时间可缩短三个月,生产周期可缩短20%,从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。此外,这种模块化的方式也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了可能。

闪存和固态硬盘领域的知名市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师Gregory Wong认为,随着3D NAND更新换代,在单颗NAND芯片存储容量大幅提升后,要维持或提升相同容量SSD的性能将会越来越困难。若要推动SSD性能继续提升,更快的NAND I/O速度及多plane并行操作功能将是必须的。

此外,长江存储CEO杨士宁博士表示,目前,世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps,而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用XtackingTM技术有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps,与DRAM DDR4的I/O速度相当。这对NAND行业来讲将是颠覆性的。

值得一提的是,紫光集团联席总裁刁石京近日透露,中国首批拥有自主知识产权的32层3D NAND闪存芯片将于今年第四季度实现量产。同时,刁石京介绍,目前,芯片生产设备正在进行安装调试,今年第四季度,32层3D NAND闪存芯片将在一号芯片生产厂房进行量产。

据悉,长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片,并获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。

这颗芯片,耗资10亿美元,由1000人团队历时2年自主研发,是中国主流芯片中研发制造水平最接近世界一流的高端存储芯片,实现了中国存储芯片“零”的突破。

此外,64层3D NAND闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行,计划2019年实现量产。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • NAND
    +关注

    关注

    16

    文章

    1699

    浏览量

    136629
  • 闪存芯片
    +关注

    关注

    1

    文章

    128

    浏览量

    19696
  • 长江存储
    +关注

    关注

    5

    文章

    325

    浏览量

    38011

原文标题:1000人耗资10亿美元历时2年自主研发的中国首颗32层3D NAND即将量产

文章出处:【微信号:ICCapital,微信公众号:芯资本】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    相关推荐

    预期提前,铠侠再次加速,3D NAND准备冲击1000

    电子发烧友网报道(文/黄山明)近日,铠侠再次宣布,将在2027年实现3D NAND的1000堆叠,而此前铠侠计划是在2031年批量生产超1000
    的头像 发表于 06-29 00:03 4733次阅读

    3D NAND的发展方向是500到1000

    芯片行业正在努力在未来几年内将 3D NAND 闪存的堆栈高度提高四倍,从 200 增加到 800
    的头像 发表于 12-19 11:00 293次阅读
    <b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>NAND</b>的发展方向是500到1000<b class='flag-5'>层</b>

    【半导体存储】关于NAND Flash的一些小知识

    NAND只需要提高堆栈层数,目前多种工艺架构并存。从2013年三星推出了第一款24SLC/MLC 3D V-NAND,到现在层数已经迈进200+
    发表于 12-17 17:34

    NAND闪存是什么意思

    NAND闪存,又称之为“NAND Flash”,是一种基于Flash存储技术的非易失性闪存芯片。下面将从
    的头像 发表于 08-10 15:57 4292次阅读

    SK海力士加速NAND研发,400+闪存量产在即

    韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新,据韩媒最新报道,该公司计划于2025年末全面完成400+堆叠NAND闪存
    的头像 发表于 08-02 16:56 1184次阅读

    美光第九代3D TLC NAND闪存技术的SSD产品开始出货

    知名存储品牌美光近日正式宣布,搭载其研发的第九代(G9)3D TLC NAND闪存技术的固态硬盘产品已然问世,并已批量上市,成为全球业内首家成功跨越此历史性阶段的制造商。该产品所采用的堆叠层数高达
    的头像 发表于 07-31 17:11 801次阅读

    至讯创新量产业内最小512Mb工业级NAND闪存芯片

    近日,国内领先的存储芯片企业至讯创新科技(无锡)有限公司宣布了一项重要突破,成功量产了512Mb高可靠性工业级2D NAND闪存
    的头像 发表于 07-04 09:35 601次阅读

    铠侠瞄准2027年:挑战1000堆叠的3D NAND闪存新高度

    在全球半导体行业的激烈竞争中,日本知名存储芯片制造商铠侠(Kioxia)展现了其雄心壮志和坚定决心。在结束了长达20个月的NAND闪存减产计划后,铠侠的两座日本工厂生产线开工率已提升至100%,同时上周还公布了其令人瞩目的
    的头像 发表于 06-29 09:29 731次阅读

    3D NAND闪存来到290,400+不远了

    电子发烧友网报道(文/黄晶晶)早在2022年闪存芯片厂商纷纷发布200+ 3D NAND,并从TLC到QLC得以广泛应用于消费电子、工业、
    的头像 发表于 05-25 00:55 4094次阅读
    <b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>NAND</b><b class='flag-5'>闪存</b>来到290<b class='flag-5'>层</b>,400<b class='flag-5'>层</b>+不远了

    美光232QLC NAND现已量产

    美光科技近日宣布了重大技术突破,其先进的232QLC NAND闪存已成功实现量产,并已部分应用于Crucial英睿达固态硬盘(SSD)中。此外,美光还推出了2500 NVMeTM S
    的头像 发表于 05-06 10:59 717次阅读

    三星量产第九代V-NAND闪存芯片,突破最高堆叠层数纪录

    三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290第九代V-NAND3D NAND闪存
    的头像 发表于 04-18 09:49 780次阅读

    三星即将量产290V-NAND闪存

    据韩国业界消息,三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290第九代V-NAND3D NAND
    的头像 发表于 04-17 15:06 694次阅读

    铠侠计划2030-2031年推出千3D NAND闪存,并开发存储级内存(SCM)

    目前,铠侠和西部数据共同研发NAND闪存技术,他们最杰出的作品便是218堆叠的BICS8 3D闪存,这项产品能达到的传输速度高达3200M
    的头像 发表于 04-07 15:21 759次阅读

    请问3D NAND如何进行台阶刻蚀呢?

    3D NAND的制造过程中,一般会有3个工序会用到干法蚀刻,即:台阶蚀刻,channel蚀刻以及接触孔蚀刻。
    的头像 发表于 04-01 10:26 1064次阅读
    请问<b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>NAND</b>如何进行台阶刻蚀呢?

    有了2D NAND,为什么要升级到3D呢?

    2D NAND3D NAND都是非易失性存储技术(NVM Non-VolatileMemory),属于Memory(存储器)的一种。
    的头像 发表于 03-17 15:31 1163次阅读
    有了2<b class='flag-5'>D</b> <b class='flag-5'>NAND</b>,为什么要升级到<b class='flag-5'>3D</b>呢?