0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

MRAM,ReRAM,Xpoint这三个技术是目前市场的焦点

SSDFans 来源:未知 作者:李倩 2018-08-16 15:22 次阅读

Persistent Memory 一直是存储的热点,这里面的技术和药物的研发类似,需要大量的时间和投入。NAND Flash这样的技术,其实是在1985年就研制成功,是随着使用的成本一步一步下降到今天的地步。

对于目前PM的总结,还是用The Memory Guys (http://thememoryguy.com/)的对比了。

先来看一下,每种技术后面的公司。MRAM目前是Everspin+GF, 之前的Avalanche这次完全没有声音。IBM和Samsung都有对MRAM的报告,但是他们也有对其他PM的报告。对于ReRAM来讲,Crossbar+UMC,对于被收购之前的Sandisk和HPE在这个上面的投入,好像已经随着Martin的离开消失了。https://www.theregister.co.uk/2017/01/25/cutting_hewlett_packard_labs_down_to_size/

对于FRAM,貌似是TI和Fujitsu 这两家最积极。但是这两个厂家和数据中心的距离都有点远。对于大部分的新技术,行业中已有的巨头都是处于观望态度,除了不想出现杀敌一千,自伤八百的局面,还有就是创新者的窘境的问题。因此,可以看出,MRAM和ReRAM的现状最符合这个情况,小公司在前面打拼,大公司在后面观望。

产品来看,MRAM,ReRAM,Xpoint这三个技术是目前市场的焦点。但是Xpoint的地位基本上和X86在数据中心的地位类似,ARM和Power都在努力,但是现实比较骨感。

FMS2018 今年也有了一个MRAM的开发者日,从其中的话题不难看出,MRAM目前关注的市场是以Embedded市场为主,和数据中心有一些偏差。我们的确看到Everspin和其他几个小厂都有使用Xilinx的FPGA作为MRAM的控制器,出品基于PCIE接口的MRAM产品,但是因为容量的原因,目前肯定不是用来做主存储,因此对于Xpoint基本上没有威胁。今年年初的SNIA的NVM Summit中对MRAM的总结更全面。

ReRAM之前曾经因为HPE的“The Machine”热过一阵,记得在2016年的NVM Summit上,Sandisk的人信心满满的谈和HPE的合作,他们觉得Samsung因为自己有128G的DIMM 产品,对于NVM的进展不关心,因此希望ReRAM可以成为挑战Intel 3DXpoint的最强劲的对手。后来,因为Sandisk被WD收购,HPE解散了“The Machine”的团队,目前大部分的人马在做新的协议,Gen-Z。 Gen-Z和ZFS一样,应该都寄托了工程师Nerd对技术的深切渴望,“我是终极产品,其他人都可以洗洗睡了”,但是希望不要是ZFS一样。

和MRAM的一个比较的不同是,ReRAM和目前的显学AI的关系更加紧密,利用自身的结构,ReRAM上的PIM和NN的研究不少。

3DXpoint无疑是目前市场的胜利者,虽然Intel和Micron都对3D Xpoint是啥守口如瓶,但是坊间的磨皮公司很多,基本都拆解的差不多。

l PCM的技术,20nm的制成

l Cross Point的阵列,堆叠的选择器

l 花了近10年的时间,Intel,Micron,Numonyx 以及IP的vendor都有提及

虽然目前市场的AEP没有做到Intel在2015年预热时候的宣传,对比NAND,有1000X的性能, 1000X的endurance, 但是它无疑是市场上的赢家,在推出M.2/U.2 的PCIE接口之后,他有推出了DIMM slot。

比较有意思的是,这个技术是Intel和Micron的合作,两家的合作即将终止,但是到现在为止Micron没有推出任何产品,特别在今年的FMS的Micron展台上也没有3D Xpoint的消息,这个的确是一个比较奇怪的事情,Micron是不是觉得Intel这种赔本赚吆喝的事情只是适合Intel做?最新的消息,Google Cloud率先选择部署3D Xpoint 的DIMM,这个是否可以为NVDIMM-P带来更多的应用。

对于单个3D Xpoint的芯片来讲,猜测的规格如下:

l 128Gbit。>10%的OP.

l 读延时是~125ns,写延时是比较大。

l Endurance: ~200K cycles

可以看出,这个不是DRAM的替代者,当然也不是NAND Flash的替代者。

可以看到3D NAND的生命周期比之前预想的要长很多。这个可能对于其他两家的PM不是好消息。

另外报道一个比较有意思的现象,在第二天早上的一个Session中 NEWM-201A-1: 3D XPoint: Current Implementations and Future Trends (New Memory Technologies Track), 虽然比较早,但是的确是门庭若市。因为在第二个环节,应用材料的session实在听不懂,直接去了PMEM-201-1: Persistent Memory Software and Applications (Persistent Memory Track), 这个Session基本只有10个人不到。的确很奇怪,对于PM的制造的兴趣大于对如何使用的兴趣,这个对于PM可能也不是啥好事吧。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 存储器
    +关注

    关注

    38

    文章

    7444

    浏览量

    163546
  • MRAM
    +关注

    关注

    1

    文章

    234

    浏览量

    31690
  • reram
    +关注

    关注

    1

    文章

    51

    浏览量

    25446

原文标题:Flash Memory Summit 2018 (3):新型存储器大盘点

文章出处:【微信号:SSDFans,微信公众号:SSDFans】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    ReRAM能否取代NOR?

    “与MRAM相比,ReRAM有两主要优势——工艺简单和更宽的读取窗口,”的内存技术专家Jongsin Yun说西门子EDA。“MRAM需要
    发表于 11-22 17:16 773次阅读
    <b class='flag-5'>ReRAM</b>能否取代NOR?

    这三个电阻的阻值都是多少啊?

    想用一1k的电阻,可手头没有,只能找电路板拆了,这三个有没有1K的或者接近1K的!
    发表于 08-25 08:46

    谁会用这三个函数啊(数学类的)

    这三个函数分别为pow();平方函数sqrt();开方函数acos();反余弦函数这三个函数都该怎么用,括号里的数据类型都是什么?我这样编对么?float R;double jd1,jd;R=sqrt(pow(x5,2)+pow(y5,2));jd1=x5/R;jd=ac
    发表于 05-31 13:49

    请问这三个板子是什么型号

    请问A-Lead SOT-23 ADC Driver,10-Lead PulSAR ADC Evaluation Board,EVAL-SOP-CB1Z这三个板子是什么型号???
    发表于 08-09 09:17

    请问以下这三个元器件是什么?

    `请问以下这三个元器件叫什么名字,干什么用的,哪个厂家的,对硬件一点也不懂,`
    发表于 09-27 15:52

    STM32+ucosii+emwin这三个的配置是多少?

    本人使用的是stm32VET6,内存是64K的,单独移植ucos和emwin都成功了,但是当把两合在一起时程序跑到一半就进入HardFault_Handler。感觉应该是内存溢出了。请问有谁知道我这三个应该大概配置多少呢
    发表于 08-07 08:00

    新兴存储器MRAMReRAM嵌入式市场分析

    新兴存储器MRAMReRAM嵌入式市场
    发表于 12-17 06:13

    关于智能家电上的三个焦点技术之间的比较

    关于智能家电上的三个焦点技术之间的比较
    发表于 05-10 06:34

    吃透PWM这三个知识点

    关注、星标公众号,直达精彩内容PWM有非常广泛的应用,比如直流电机的无极调速,开关电源、逆变器等等。个人认为,要充分理解或掌握模拟电路、且有所突破,很有必要吃透这三个知识点:PWM电感纹波...
    发表于 11-16 07:52

    别换错了LED驱动器!这三个注意事项不要忘

    别换错了LED驱动器!这三个注意事项不要忘
    的头像 发表于 07-02 11:34 1.5w次阅读

    门罗隐匿交易的三个基础技术解析

    地址)。在Digital Asset Research的文章中这张图解释了各个技术所使用的地方,本篇文章,就是要介绍这三个技术
    发表于 07-30 11:24 1665次阅读

    FRAM技术在机器学习和人工应用方面具有很大的潜力

    和PCRAM的三个关键新兴的记忆保持在眼睛上。但它也指出,FRAM已在诸如大众运输卡,游戏系统和功率计之类的特定市场证明了自己,其主要吸引力在于执行写入操作时的低功耗。 FRAM产品已经存在很长时间了,主要是作为缓冲应用程序的专用缓存。甚至还有一些灵活的FRAM器件,但对
    发表于 07-24 15:17 554次阅读

    这三个知识点吃透PWM

    PWM有非常广泛的应用,比如直流电机的无极调速,开关电源、逆变器等等。个人认为,要充分理解或掌握模拟电路、且有所突破,很有必要吃透这三个知识点:
    的头像 发表于 05-10 15:05 1337次阅读
    从<b class='flag-5'>这三个</b>知识点吃透PWM

    mosfet的三个电极怎么区分 mos管三个极电压关系

    MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)有三个主要电极,分别是栅极(Gate)、漏极(Source)和源极(Drain)。这三个电极的区分方法如下
    的头像 发表于 09-18 12:42 3.2w次阅读

    恒流LED总爱被“烧掉”?用这三个方法,能让它更“长寿”!

    恒流LED总爱被“烧掉”?用这三个方法,能让它更“长寿”!
    的头像 发表于 11-23 09:08 643次阅读