如何选择LED的IC驱动？

LED热量防止与降低：

与传统光源一样，半导体发光二极管（LED）在工作期间也会产生热量，其多少取决于整体的发光效率。在外加电能量作用下，电子和空穴的辐射复合发生电致发光，在P-N结附近辐射出来的光还需经过芯片（chip）本身的半导体介质和封装介质才能抵达外界（空气）。综合电流注入效率、辐射发光量子效率、芯片外部光取出效率等，最终大概只有30-40%的输入电能转化为光能，其中60-70%的能量主要以非辐射复合发生的点阵振动的形式转化热能。

而芯片温度的升高，则会增强非辐射复合，进一步消弱发光效率。因为，人们主观上认为大功率LED没有热量，事实上确有。大量的热，以至于在使用过程中发生问题。加上很多初次使用大功率LED的人，对热问题又不懂如何有效地解决，使得产品可靠性成为主要问题。那么，LED究竟有没有热量产生呢？能产生多少热量呢？LED产生的热量究竟有多大？

LED在正向电压下，电子从电源获得能量，在电场的驱动下，克服PN结的电场，由N区跃迁到P区，这些电子与P区的空穴发生复合。由于漂移到P区的自由电子具有高于P区价电子的能量，复合时电子回到低能量态，多余的能量以光子的形式放出。发出光子的波长与能量差Eg相关。

可见，发光区主要在PN结附近，发光是由于电子与空穴复合释放能量的结果。一脞半导体二极体，电子在进入半导体区到离开半导体区的全部路程中，都会遇到电阻。简单地从原理上看，半导体二极体的物理结构简单地从原理上看，半导体二极体的物理结构源负极发出的电子和回到正极的电子数是相等的。普通的二极体，在发生电子空穴对的复合是由于能级差Eg的因素，释放的光子光谱不在可见光范围内。

电子在二极体内部的路途中，都会因电阻的存在而消耗功率。

所消耗的功率符合电子学的基本定律：

P =I2 R =I2（RN ++RP）+IVTH

式中：RN 是 N 区体电阻，RP 是 P 区体电阻。

消耗的功率产生的热量为：

Q = Pt

式中：t 为二极体通电的时间。

本质上，LED依然是一个半导体二极体。因此，LED在正向工作时，它的工作过程符合上面的描述。它所它所消耗的电功率为：

P LED = U LED &TImes; I LED

式中：U LED是LED光源两端的正向电压

I LED是流过LED的电流。

这些消耗的电功率转化为热量放出：

Q=P LED &TImes; t

式中：t 为通电时间

实际上，电子在P区与空穴复合时释放的能量，并不是由外电源直接提供的，而是由于该电子在N区时，在没有外电场时，它的能级就比P区的价电子能级高出Eg。当它到达P区后，与空穴复合而成为P区的价电子时，它就会释放出这比N区多的能量。Eg的大小是由材料本身决定的，与外电场无关。外电源对电子的作用只是推动它做定向移动，并克服PN结的作用。

LED的产热量与光效无关。不存在百分之几的电功率产生光，其中百分之几的电功率产生热的关系。透过对大功率LED热的产生、热阻、结温概念的理解和理论公式的推导及热阻测量，我们可以研究大功率LED的实际封装设计、评估和产品应用。需要说明的是热量管理是在LED产品的发光效率不高的现阶段的关键问题，从根本上提高发光效率以减少热能的产生才是釜底抽薪之举，这需要芯片制造、LED封装及应用产品开发各环节技术的进步。

LED的IC驱动要怎样选择？

LED业界有人发现，采用恒压源驱动不能保证LED亮度的一致性，并且影响LED的可靠性、寿命和光衰。因此，超高亮LED通常采用恒流源驱动。恒流电源可消除正向电压变化所导致的电流变化。因此可产生恒定的LED亮度，无论正向电流如何变化。产生恒流电源很容易。只需要调整通过电流检测电阻器的电压，而不用调整电源的输出电压。

所以我们需要选择高精度恒流源的LED驱动芯片，在各种LED照明产品中电路运用简单。其在宽电压输入范围内，能保证极高的输出电流精度， 从而在大面积的光源照明中，都能让LED照明亮度保持均匀一致。 由于该系列产品具有低drop-out压降，稳定的负载和电源调整率，即使在照明电路中电源及负载的变动范围很大时，都能保持稳定的让LED亮度，并充分延长LED使用寿命。该系列产品的 VDD引脚可以充当输出使能(OE)功能使用，配合数字PWM控制线路，可达到更精准的调光应用。

此外，精确的欠压锁定和过温保护功能及防静电保护设计可以确保整个照明系统在设计、安装及应用中的安全。呈现高品质的LED照明驱动。