根据霍耳效应设计的电机控制芯片

本文论述了基于霍耳效应传感芯片的电路设计原理和方法，并以0.5um， 双层金属，65V高压CMOS工艺实现，电路实现了包括磁滞，防相位锁死与自动重启动等功能，并注意了功率输出管的电压钳位，以及减少尖峰电流的发生。

1879 年，马里兰州立大学研究生霍耳发现：沿x 方向流过的电流受到其垂直方 向（z 方向）的磁场作用时，带电离子会受到y 方向的磁力影响而产生电势积累， 这就是霍耳效应。其中产生的电势差被称为霍耳电压。由于变化的磁场会产生变 化的电场，那么，利用霍耳效应做磁场监测是可行的，事实上也是目前普遍采取 的方法。基于霍耳效应的传感-控制芯片广泛应用在电机控制、手机、电流及磁 场测量等领域。

实际应用中，常用于PC 散热等用途的直流无刷电机，由于外部障碍物等因素， 可能异常停止运转。电机控制芯片需要通过霍耳传感器对磁场相位监测，判别异 常停转情况，及时关闭电机并延时重启，以便电机能够恢复正常工作。

图1 给出了霍耳效应芯片的设计框图，由霍耳感应单元得到与磁场变换相关的电 压信号，经放大器放大及磁滞比较器判别，控制逻辑监测电机的运行状态，做出 关断或延时自启动等功能，功率输出管驱动外部电机工作。

图1 霍耳效应芯片的系统框图

通常，电机需要在较宽的电压范围工作。在本设计中，目标要求芯片能够工作在 3.3V~28V 的电压范围，并且当电机控制电压高于54.7V 时，将输出电压钳位防 止烧毁电机。

芯片工作电压由其内部电压源产生，而常见的带隙基准很难在这样宽的电压范围 内正常的工作。因此，设计中采用三极管时代流行的齐纳二极管钳位方法产生电 压源，如图2 所示。这种电压源可以在很宽的电压范围工作，但也有电流消耗较 大，且输出随电源电压、温度变化较大等诸多缺点。所幸在电机应用中，这些缺 点是次要的。

当电压VIN 高于齐纳管的反向击穿电压（一般约为6~7V，这里取6.5V）后，Vz 电压被钳制在6.5V，R1 起到限流的作用。而VIN 低于6.5V 而高于一定值，M1 也可以导通，使得VCC 有电压，同样可使内部电路工作。其中，M1，M2，M3 皆为 高压器件。经过适当设计，该电压源可以在3V~65V 之间工作。

图2 内部电压源的产生

霍耳感应单元常用的形状和工艺材料等有多种，此设计使用正方形外形并基于无 特殊掺杂的CMOS 工艺。 在图3 左图中，电流自+Vs 流向地端，磁场垂直于该片面，则将在方形的另外两顶点之间会形成霍耳电压Vo1。而通过开关控制，在下 一时刻，电流流向及霍耳电压取向改为右图所示，这样也能够消除硅片的压电电 阻（⊿R）效应。这样较其他设计中常见的采用2 个或4 个霍耳感应单元消除压电 电阻效应的方法更省面积，复杂度也有所减小。

图3 霍耳感应单元

感应的霍耳电压经过放大器放大和磁滞比较器输出相应的数字信号，交由芯片控 制逻辑部分处理。为克服电机工作中的意外停止，本设计包含了防锁死及自动重 启机制。该机制根据比较器输出信号相位的改变进行边沿监测、计数、重置等工 作，与其他逻辑信号来判断芯片的工作状态。

图4 防锁死重启电路及时序

防锁死重启电路及时序如图4 所示，CompA 经过延迟后与延迟之前信号进行异或 运算，即可监测出脉冲边缘变化。若使用1MHz 的时钟信号，计数器持续计数到2^18=262，144us 时，电路进入锁死状态。21 位计数器继续工作直到溢出，其间 时间差为2^21-2^18=1，835，008us，约1.8 秒后尝试重启，直到电机正常工作。

作为电机控制芯片，设计要求对输出功率管的开关按照一定逻辑顺序进行，并且 需要监视防锁死重启电路的输出，以及控制功率管的死区（dead zone）时间等。 这些功能由芯片逻辑控制部分完成，该部分简化电路如图5 所示。Comp 信号为 经过处理的磁滞比较器的输出，Osc 信号来自振荡器，H_peak 信号是计数器的输 出，Reset 及其反信号是重启动控制信号。当正常工作时，开关SW1 及SW3 有效； 当系统需要重启动时，开关SW2 及SW4 有效。由En 信号控制开关组选择芯片处 于正常状态或是重启动状态，En 信号电平由防锁死重启逻辑判断给出。

图5 控制逻辑简化电路图

输出驱动及保护电路如图6 所示，芯片片内部分由驱动电路、输出功率管、电压 钳位二极管构成。由于输出功率管尺寸较大，需要驱动电路使其正常工作。其驱 动电路通常有串接的反向器串组成，且尺寸逐级增大。当VIN 过高时，可能烧毁 输出功率管或电机，这里电压钳位二极管串将Vout 钳制在最高允许电压。若要 求最高电压为54.7V， 齐纳二极管正向和反向导通电压分别为0.7V 和6.5V， 那 么以3 个正向和8 个反向齐纳二极管串接，则钳位电压约在3×0.7＋8×6.5＋ 0.6＝54.7V。

图 6 输出驱动及保护电路

完成的芯片版图如图7 所示。该芯片采用0.5um， 双层金属，65V 高压CMOS 工艺 实现。经过测试，该芯片可以正常工作在2.8～28V 范围，平均输出电流可达 400mA。当电源电压为24V 时，电流损耗为1.8mA，芯片面积650um×1140um。

图7 霍耳效应电机控制芯片版图