0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三星将在明年推5/4nmEUV工艺 2020年推3nmEUV工艺

半导体动态 来源:网络整理 作者:工程师吴畏 2018-09-06 16:56 次阅读

随着Globalfoundries以及联电退出先进半导体工艺研发、投资,全球有能力研发7nm及以下工艺的半导体公司就只剩下英特尔、台积电及三星了,不过英特尔可以排除在代工厂之外,其他无晶圆公司可选的只有三星以及台积电了,其中台积电在7nm节点可以说大获全胜,流片的7nm芯片有50+多款。

三星近年来也把代工业务当作重点,此前豪言要争取25%的代工市场,今年三星公布了未来的制程工艺路线图,现在日本的技术论坛上三星再次刷新了半导体工艺路线图,今年会推出7nm EUV工艺,明年有5/4nm EUV工艺,2020年则会推出3nm EUV工艺,同时晶体管类型也会从FinFET转向GAA结构。

三星电子4日在日本举行“三星晶圆代工论坛2018日本会议”,简称SFF Japan 2018,这是三星第二次在日本举行代工会议,日本PCwatch网站介绍了三星这次会议的主要内容,三星的口号是“最受信任的代工厂”,并公布了三星在晶圆代工上的最新路线图。

三星高管表示2018年晚些时候会推出7nm FinFET EUV工艺,而8nm LPU工艺也会开始风险试产,2019年则会推出5/4nm FinFET EUV工艺,同时开始18nm FD-SOI工艺的风险试产,后者主要面向RF射频、eMRAM等芯片产品

2020年三星则会推出3nm EUV工艺,同时晶体管结构也会大改,从目前的FinFET变成GAA( Gate-All-Around)结构,GAA公认为7nm节点之后取代FinFET晶体管的新一代技术候选。

三星在这次的论坛会议上表示他们是第一家大规模量产EUV工艺的,这点上倒是没错,台积电要到第二代7nm工艺N7+上才会使用EUV工艺,但是三星比较激进,7nm节点上会直接上7nm EUV工艺,未来的5/4/3nm节点也会全面使用EUV工艺。

根据三星的说法,他们在韩国华城的S3 Line生产线上部署了ASML的NXE3400 EUV光刻机,这条生产线原本是用于10nm工艺的,现在已经被改造,据说现在的EUV产能已经达到了大规模生产的标准。

此外,三星还在S3生产线之外建设全新的生产线,这是EUV工艺专用的,计划在2019年底全面完成,EUV的全面量产计划在2020年完成。

对三星来说,他们的7nm客户都有谁至关重要,特别是在台积电抢下绝大多数7nm订单的情况下,原文作者认为台积电的7nm产能不可能包揽所有7nm订单,三星依然有机会抢得客户,因此他猜测某公司下一代的GPU有可能交由三星代工——不过他强调这是自己的推测。

在GPU代工上,三星使用14nm工艺给NVIDA的GTX 1050 Ti/1050显卡的GP107核心代工过。

下面是三星在封装测试方面的路线图了,目前三星已经可以提供FOPLP-PoP、I-Cube 2.5D封装,明年则会推出3D SiP系统级封装,其中I-Cube封装已经可以实现4路HBM 2显存堆栈了。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 三星电子
    +关注

    关注

    34

    文章

    15842

    浏览量

    180843
  • FinFET
    +关注

    关注

    12

    文章

    247

    浏览量

    90080
  • EUV
    EUV
    +关注

    关注

    8

    文章

    603

    浏览量

    85933
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    三星电子:18FDS将成为物联网和MCU领域的重要工艺

    电子发烧友网报道(文/吴子鹏)今年上半年,三星在FD-SOI工艺上面再进一步。3月份,意法半导体(STMicroelectronics)宣布与三星联合推出18nm FD-SOI
    发表于 10-23 11:53 169次阅读
    <b class='flag-5'>三星</b>电子:18FDS将成为物联网和MCU领域的重要<b class='flag-5'>工艺</b>

    概伦电子NanoSpice通过三星代工厂3/4nm工艺技术认证

    概伦电子(股票代码:688206.SH)近日宣布其新一代大容量、高性能并行SPICE仿真器NanoSpice通过三星代工厂3/4nm工艺技术认证,满足双方共同客户对高精度、大容量和高性
    的头像 发表于 06-26 09:49 555次阅读

    台积电3nm工艺稳坐钓鱼台,三星因良率问题遇冷

    近日,全球芯片代工领域掀起了不小的波澜。据媒体报道,台积电在3nm制程的芯片代工价格上调5%之后,依然收获了供不应求的订单局面。而与此同时,韩国的三星电子在3nm
    的头像 发表于 06-22 14:23 1091次阅读

    三星展望2027:1.4nm工艺与先进供电技术登场

    在半导体技术的竞技场上,三星正全力冲刺,准备在2027推出一系列令人瞩目的创新。近日,三星晶圆代工部门在三星代工论坛上公布了其未来几年的技术路线图,其中包括备受瞩目的1.4nm制程
    的头像 发表于 06-21 09:30 345次阅读

    三星与新思科技携手,备战2nm工艺量产

    在全球半导体行业迈向更高精度和更小尺寸的征途上,三星与新思科技近日宣布了一项重要的合作。这一合作旨在确保三星的2nm制造工艺能够顺利实现量产,并在市场中占据领先地位。
    的头像 发表于 06-20 09:22 447次阅读

    三星公布最新工艺路线图

    : 1. **新节点和技术进展**:三星宣布了两个新的尖端节点——SF2Z 和 SF4U。SF2Z 是一种2nm工艺,采用背面电源输送网络(BSPDN)技术,这种技术将电源轨置于晶圆背面,以提高功率、性能
    的头像 发表于 06-17 15:33 321次阅读
    <b class='flag-5'>三星</b>公布最新<b class='flag-5'>工艺</b>路线图

    三星电子开始量产其首款3nm Gate All Around工艺的片上系统

    据外媒报道,三星电子已开始量产其首款3nm Gate All Around(GAA)工艺的片上系统(SoC),预计该芯片预计将用于Galaxy S25系列。
    的头像 发表于 05-08 15:24 536次阅读

    受困于良率?三星否认HBM芯片生产采用MR-MUF工艺

      电子发烧友网报道(文/黄晶晶)据报道,三星电子在半导体制造领域再次迈出重要步伐,计划增加“MUF”芯片制造技术,用于生产HBM(高带宽内存)芯片。但是三星在随后的声明中称,关于三星将在
    的头像 发表于 03-14 00:17 3798次阅读
    受困于良率?<b class='flag-5'>三星</b>否认HBM芯片生产采用MR-MUF<b class='flag-5'>工艺</b>

    三星电子3nm工艺良率低迷,始终在50%左右徘徊

    据韩国媒体报道称,三星电子旗下的3纳米工艺良品比例仍是一个问题。报道中仅提及了“3nm”这一笼统概念,并没有明确指出具体的工艺类型。知情者透
    的头像 发表于 03-07 15:59 676次阅读

    三星半导体将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”!

    近期,科技巨头三星半导体做出了一个引人注目的决策:将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”。
    的头像 发表于 03-06 13:42 1004次阅读

    三星携手高通共探2nm工艺新纪元,为芯片技术树立新标杆

    三星与高通的合作正在不断深化。高通计划采纳三星代工工厂的尖端全栅极(GAA)工艺技术,以优化和开发下一代ARM Cortex-X CPU。
    的头像 发表于 02-25 15:31 773次阅读

    三星第二代3nm工艺开始试产!

    据报道,三星预计在未来6个月时间内,让SF3工艺良率提高到60%以上。三星SF3工艺会率先应用
    的头像 发表于 01-29 15:52 569次阅读

    新思科技携手Ansys和三星共同开发14LPU工艺的全新射频集成电路设计

    新思科技(Synopsy)近日宣布,携手Ansys 、三星半导体晶圆代工(以下简称“三星”)共同开发了面向三星14LPU工艺的全新射频集成电路(RFIC)设计参考流程
    的头像 发表于 12-11 18:25 700次阅读

    三星将于明年量产LPDDR5T DRAM芯片

    三星将从明年开始批量生产LPDDR5T DRAM芯片。三星电子副总裁Ha-Ryong Yoon最近在投资者论坛上介绍了公司状况和今后计划等。当投资者询问
    的头像 发表于 12-01 09:45 676次阅读

    三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工艺

    三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工艺
    的头像 发表于 11-23 18:13 952次阅读
    <b class='flag-5'>三星</b>D1a nm LPDDR<b class='flag-5'>5</b>X器件的EUV光刻<b class='flag-5'>工艺</b>