CMOS级逻辑电路实现综述

CMOS级逻辑电路实现综述

CMOS逻辑电路，分两部分，上拉部分，下拉部分。上拉部分由PMOS管电路构成，下拉部分由NMOS管电路组成，如下。上下拉，形成互补。

由前面的基础可知，CMOS只能实现基本逻辑的非，比如或逻辑，与逻辑，如果不加反相器，CMOS只能实现或非，与非逻辑。原因就是上拉逻辑只能用PMOS实现，下拉逻辑只能由NMOS实现，而PMOS的导通需要输入信号为0，NMOS导通需要输入信号为1。

既然如此，我们在用CMOS实现逻辑电路时，一般可以照如下顺序去做：

1. 可以先将其整体先加上一个非，作相应的逻辑转化。

2. 上拉逻辑中各个PMOS，与操作为并联，或操作为串联。

3. 下拉逻辑中各个NMOS，与操作为串联，或操作为并联。

比如我们想从CMOS层去实现逻辑 OUT = D+A*(B+C) （减号“-”表示取反（非）操作，“+”表示或,*表示与）。

设计过程如下：

1. OUT = - ( -(D+A*(B+C)) )

2. OUT1 =-(D+A*(B+C))

3. OUT = -OUT1

对于OUT1 = -(D+A*(B+C))，正好是逻辑整体上带了个非。

故对于上拉逻辑:

或操作为串联，从而输入B,C接到的PMOS之间为串联。

与操作为并联，故输入A接到的PMOS跟B,C或逻辑之间为并联。

或操作为串联，故D与A*(B+C)的PMOS逻辑为串联。

对于下拉逻辑与上拉逻辑正好相反：

或操作为并联，从而输入B,C接到的NMOS之间为并联。

与操作为串联，故输入A接到的NMOS跟B,C或逻辑之间为串联。

或操作为并联，故D与A*(B+C)的NMOS逻辑为并联。

从而得到OUT1 =-(D+A*(B+C)) 的CMOS实现如下：

OUT = -OUT1，故得最终答案如下：

当然，在MOS管级别还可以做一些优化，比如MOS管级别的逻辑优化，MOS管栅源共用，晶体管尺寸调整，重新安排各个输入的上下顺序等等，都可以在MOS管级别使得电路的时序与面积功耗等得到优化，但这不是我们的重点，一般对于全定制IC设计会从MOS管级开始考虑电路的实现。这里我们只是对其做一个了解。

我们今后的重点将会注重于门级以上的电路实现与优化，特别是到了Verilog描述，主要着重于数据流级，行为级描述。