51单片机复位的方法有哪些 浅谈51单片机复位

本文主要是关于51单片机复位的相关介绍，并着重对51单片机复位方法及其原理进行了详尽的阐述。

为什么需要单片机复位

这就好比开启了看门狗但没有喂狗

单元负载能力不足

电源不稳定

干扰

程序错误导致软件指令复位

还有最重要的：内存溢出，如下：

在只有128byte内存的单片机里面定义过多的全局变量并且其中有指针变量的话，非常容易出现干扰到堆栈指针SP，导致程序异常。

IO接口只能通过直接访问高128字节才能写入或读出数值，无法通过指针等其他途径访问。

所以当前情况很有可能是内存溢出导致单片机不断在重启。

当内存超过128yte的情况下在编译的时候编译器会提示内存不足。

在256byte的单片机中可以通过idata使用高128byte内存，通常一些不常用的变量。

尽量使用局部变量提高内存使用效率。

51单片机复位电路详解

复位电路的工作原理

在书本上有介绍，51单片机要复位只需要在第9引脚接个高电平持续2us就可以实现，那这个过程是如何实现的呢？在单片机系统中，系统上电启动的时候复位一次，当按键按下的时候系统再次复位，如果释放后再按下，系统还会复位。所以可以通过按键的断开和闭合在运行的系统中控制其复位。

开机的时候为什么为复位

在电路图中，电容的的大小是10uf，电阻的大小是10k。所以根据公式，可以算出电容充电到电源电压的0.7倍（单片机的电源是5V，所以充电到0.7倍即为3.5V），需要的时间是10K*10UF=0.1S。也就是说在电脑启动的0.1S内，电容两端的电压时在0~3.5V增加。这个时候10K电阻两端的电压为从5~1.5V减少（串联电路各处电压之和为总电压）。所以在0.1S内，RST引脚所接收到的电压是5V~1.5V。在5V正常工作的51单片机中小于1.5V的电压信号为低电平信号，而大于1.5V的电压信号为高电平信号。所以在开机0.1S内，单片机系统自动复位（RST引脚接收到的高电平信号时间为0.1S左右）。

按键按下的时候为什么会复位

在单片机启动0.1S后，电容C两端的电压持续充电为5V，这是时候10K电阻两端的电压接近于0V，RST处于低电平所以系统正常工作。当按键按下的时候，开关导通，这个时候电容两端形成了一个回路，电容被短路，所以在按键按下的这个过程中，电容开始释放之前充的电量。随着时间的推移，电容的电压在0.1S内，从5V释放到变为了1.5V，甚至更小。根据串联电路电压为各处之和，这个时候10K电阻两端的电压为3.5V，甚至更大，所以RST引脚又接收到高电平。单片机系统自动复位。

总结：

1、复位电路的原理是单片机RST引脚接收到2US以上的电平信号，只要保证电容的充放电时间大于2US，即可实现复位，所以电路中的电容值是可以改变的。

2、按键按下系统复位，是电容处于一个短路电路中，释放了所有的电能，电阻两端的电压增加引起的。

51单片机复位的方法有哪些

51单片机有五种常用的复位方法：

1.上电制动复位，注意：只要电源的的上升时间不超过1ms，就可以实现自动上电复位。

2.软件复位，注意：复位信号保持时间是编程人员预定的时间。

3.按键电平复位，注意：复位信号保持时间大于2个时钟周期。

4.外部脉冲复位，注意：复位信号保持时间大于2个时钟周期。

5.看门狗溢出复位，注意：复位信号保持时间也是编程人员预定的时间。

【MCS-51单片机地址指针程序设置方法】

下面以数据块传送子程序为例，说明R0和R1对外接RAM间接寻址的程序设计方法。假定数据块的源首地址为1000H，目的首地址为3045H，数据块长度为50H，程序清单如下所示：

程序1—用DPTR做地址指针

MOV R2，#00H

MOV R3，#10H

MOV R4，45H

MOV R5，#30H

MOV R7，#50H

LOOP： MOV DPL，R2

MOV DPH，R3

MOVX A，@DPTR

INC DPTR

MOV R2，DPL

MOV R3，DPH

MOV DPL，R4

MOV DPH，R5

MOVX @DPTR，A

INC DPTR

MOV R4，DPL

MOV R5，DPH

DJNZ R7，LOOP

RET

程序2—使用R0和R1做地址指针

MOV DPTR，#1000H

MOV P2，#30H

MOV R0，#45H

MOV R7，#50H

LOOP： MOVX A，@DPTR

MOVX @R0，A

INC DPTR

INC R0

DJNZ R7，LOOP

RET

程序1用了19条指令，程序2用了10条指令。适当应用R0和R1地址指针，可以大大提高程序运行效率。

结语

关于51单片机复位的相关介绍就到这了，如有不足之处欢迎指正。

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