MOS替换方法及流程之栅源阈值电压的mosfet源-电子发烧友网

MOS替换方法及流程之栅源阈值电压的mosfet源

ØNXP:BUK7510-55AL:

ØIRF 3305:

Ø英飞凌:IPP 80 n06s2-05

1.2与最大栅极限电压进行比较

下表给出了V的计算。-GATEVbat = 16V，不同温度:

Vbat = 16 V
	VGATE	正常时	堵转时
	TYP	最大	估计Tj
-40°C	70	84	14°C	16°C
25°C	1、48	1,59	79°C	81°C
100°C	1、14	1、22	154°C	156°C

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MOS替换方法及流程之栅源阈值电压的mosfet源

ØIRF 3305:

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MOS替换方法及流程之栅源阈值电压的mosfet源

结论:

VGSth所有mosfet源的特性都非常接近。关于计算，栅电压(V)GATE_max) 总是小于VGSth在所有mosfet中，那么模块将总是能够在关闭状态下开关MOS(如果MOS没有损坏)。R33/R86的比例已经选得很好。

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原文标题：MOS替换方法及流程之栅源阈值电压

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