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norflash存储器常见的8个特征是什么

ss 作者:工程师谭军 2018-09-19 10:32 次阅读

本文主要是关于norflash的相关介绍,并着重对norflash的特征进行了详尽的阐述。

norflash存储器常见的8个特征是什么

NOR Flash

NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行)。这点和NAND FLASH不一样。因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),但不可以直接进行写操作。对NOR FLASH的写操作需要遵循特定的命令序列,最终由芯片内部的控制单元完成写操作。

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

像“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。

接口差别

NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息

NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

容量成本

NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。

NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8~128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC(多媒体存储卡Multi Media Card)存储卡市场上所占份额最大。

可靠耐用

采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF(平均故障间隔时间Mean Time Between Failures)的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

寿命(耐用性)

在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸为NOR器件的八分之一,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

位交换

所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。

一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。

当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。

这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

坏块处理

NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。

NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。

易于使用

可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。

由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。

在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

软件支持

当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。

在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD(Memory Technology Devices)。

使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些,许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件,这其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。

驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

NOR Flash擦写及原理

NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),但不可以直接进行写操作。对NOR FLASH的写操作需要遵循特定的命令序列,最终由芯片内部的控制单元完成写操作。

从支持的最小访问单元来看,NOR FLASH一般分为 8 位的和16位的(当然,也有很多NOR FLASH芯片同时支持8位模式和是16 位模式,具体的工作模式通过特定的管脚进行选择)。

对8位的 NOR FLASH芯片,或是工作在8-BIT模式的芯片来说,一个地址对应一个BYTE(8-BIT)的数据。例如一块8-BIT的NOR FLASH,假设容量为4个BYTE.那芯片应该有8个数据信号D7-D0 和2个地址信号,A1-A0.地址0x0对应第0个 BYTE,地址0x1对应于1BYTE,地址0x2对应于第2个BYTE,而地址0x3则对应于第3 个BYTE.对16位的 NOR FLASH芯片,或是工作在16-BIT模式的芯片来说,一个地址对应于一个HALF-WORD(16-BIT)的数据。例如,一块16-BIT的 NOR FLASH,假设其容量为4个BYTE.那芯片应该有16 个数据信号线D15-D0 和1个地址信号A0.地址 0x0对应于芯片内部的第0个HALF-WORD,地址0x1对应于芯片内部的第1个 HALF-WORD

FLASH一般都分为很多个SECTOR,每个SECTOR包括一定数量的存储单元。对有些大容量的FLASH,还分为不同的BANK,每个BANK包括一定数目的SECTOR.FLASH的擦除操作一般都是以SECTOR,BANK或是整片FLASH为单位的。

在对FLASH进行写操作的时候,每个BIT可以通过编程由1变为0,但不可以有0修改为1.为了保证写操作的正确性,在执行写操作前,都要执行擦除操作。擦除操作会把FLASH的一个SECTOR,一个BANK或是整片FLASH的值全修改为0xFF.这样,写操作就可以正确完成了。

由于NOR FLASH没有本地坏区管理,所以一旦存储区块发生毁损,软件或驱动程序必须接手这个问题,否则可能会导致设备发生异常。 在解锁、抹除或写入NOR FLASH区块时,特殊的指令会先写入已绘测的记忆区的第一页(Page)。接着快闪记忆芯片会提供可用的指令清单给实体驱动程序,而这些指令是由一般性闪存接口(CommON FLASH memory Interface, CFI)所界定的。 与用于随机存取的ROM不同,NOR FLASH也可以用在存储设备上;不过与NAND FLASH相比,NOR FLASH的写入速度一般来说会慢很多。

2. NOR Flash的烧写方式

以下内容,如无特别说明,处理器指的是 ARM 处理器,FLASH 指的都是 NOR FLASH.另外,BYTE指的是8-BIT的数据单元,HALF-WORD代表的是16-BIT的数据单元,而WORD 则代表了32-BIT的数据单元。

2.1 处理器寻址

ARM 可以说是目前最流行的32位嵌进式处理器。在这里只提一下ARM处理器的寻址,为后面做个展垫。从处理器的角度来看,系统中每个地址对应的是一个BYTE的数据单元。这和很多别的处理器都是一样的。

2.2 处理器和NOR FLASH的硬件连接

从前面的先容,我们知道从处理器的角度来看,每个地址对应的是一个 BYTE 的数据单元。而,NOR FLASH 的每个地址有可能对应的是一个BYTE的数据单元,也有可能对应的是一个HALF-WORD的数据单元。所以在硬件设计中,连接ARM处理器和 NOR FLASH时,必须根据实际情况对地址信号做特别的处理。

假如ARM处理器外部扩展的是8-BIT的NOR FLASH, 数据线和地址线的连接应该如图1所示。 从图中我们可以看到,处理器的数据信号D0-D7和 FLASH的数据信号D0-D7是逐一对应连接的,处理器的地址信号A0-An和NOR FLASH的地址信号A0-An 也是逐一对应连接的。

假如ARM处理器外部扩展的是16-BIT的NOR FLASH, 地址线必须要错位连接。 图2给了一个ARM处理器和16-BIT NOR FLASH的连接示意图。如图2所示,ARM处理器的数据信号D0-D15和FLASH 的数据信号D0-D15是逐一对应的。而ARM处理器的地址信号和NOR FLASH 的地址信号是错位连接的,ARM的A0悬空,ARM 的A1 连接FLASH 的A0,ARM 的A2连接FLASH的A1,依次类推。需要错位连接的原因是:ARM处理器的每个地址对应的是一个BYTE 的数据单元,而 16-BIT 的 FLASH 的每个地址对应的是一个HALF-WORD(16-BIT)的数据单元。为了保持匹配,所以必须错位连接。这样,从ARM处理器发送出来的地址信号的最低位A0对16-BIT FLASH来说就被屏蔽掉了。

NOR Flash的烧写方式 - 懵懂者 - 懵懂者的随便写

补充说明:

一般来说,ARM处理器内部要设置相应的寄存器,告诉处理器外部扩展的FLASH的位宽(8-BIT/16-BIT/32-BIT) 。这样,处理器才知道在访问的时候如何从FLASH正确的读取数据;

有些ARM处理器内部可以设置地址的错位。对于支持软件选择地址错位的处理器,在连接16-BIT FLASH的时候,硬件上可以不需要把地址线错位。读者设计的时候,请参考MCU的数据手册,以手册为准,以免造成不必要的麻烦;

假如处理器支持内部设置地址错位,在实际访问的时候,送出的地址实际上是在MCU内部做了错位处理,其作用是等效于硬件连接上的错位的。

上面的描述可能比较抽象,下面让我们来看2个ARM处理器访问16-BIT FLASH的例子:

例子 1:ARM处理器需要从地址0x0读取一个BYTE

ARM处理器在地址线An-A0上送出信号0x0;

16-BIT FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的地址是0x0,然后将地址0x0对应的16-BIT数据单元输出到D15-D0上;

ARM处理器知道访问的是16-BIT的FLASH,从D7-D0上读取所需要的一个BYTE的数据。

例子 2:ARM处理器需要从地址0x1读取一个BYTE

ARM处理器在地址线An-A0上送出信号0x1;

16-BIT FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的地址依然是0x0, 然后将地址0x0对应的16-BIT数据单元输出到D15-D0上;

ARM处理器知道访问的是16-BIT的FLASH,从D15-D8 上读取所需要的一个BYTE 的数据。

2.3 从软件角度来看 ARM 处理器和 NOR FLASH 的连接

从软件的角度来理解ARM处理器和 FLASH的连接。对于8-BIT的FLASH的连接,很好理解,由于ARM处理器和8-BIT FLASH的每个地址对应的都是一个 BYTE 的数据单元。所以地址连接毫无疑问是逐一对应的。假如 ARM 处理器连接的是 16-BIT 的处理器,由于 ARM 处理器的每个地址对应的是一个 BYTE 的数据单元,而 16-BIT FLASH 的每个地址对应的是一个 HALF-WORD 的16-BIT的数据单元。所以,也毫无疑问,ARM处理器访问16-BIT处理器的时候,地址肯定是要错开一位的。在写FLASH驱动的时候,我们不需要知道地址错位是由硬件实现的,还是是通过设置ARM处理器内部的寄存器来实现的,只需要记住2点:

ARM处理器访问8-BIT FLASH的时候,地址是逐一对应的;

ARM处理器访问16-BIT FLASH的时候,地址肯定是错位的。

2.4 8-BIT FLASH 烧写驱动实例 - HY29F040

HY29F040是现代公司的一款8-BIT的NOR FLASH.在这个小节里,我们以这个芯片为例子,讲述如何对8-BIT NOR FLASH进行操作。

HY29F040的容量为512K-BYTE,总共包括8 个SECTOR,每个SECTOR 的容量是64K-BYTE.该芯片支持SECTOR擦除,整片擦除和以BYTE 为基本单位的写操纵.HY29F040的命令定义如表-1所示。

下面,我们来看看如何实现基本的擦除和编程操作。在本节后面的描述中,我们使用了下面的2 个定义:

U32 sysbase; //该变量用来表示 FLASH 的起始地址

#define SysAddr8(sysbase, offset) ((volatile U8*)(sysbase)+(offset)) //用来方便对指定的 FALSH 地址进行操作

宏SysAddr8定义了一个 BYTE(8-BIT)指针,其地址为(sysbase + offset)。假设FLASH的起始地址为0x10000000,假如要将

0xAB写到FLASH的第一个BYTE中往,可以用下面的代码:

*SysAddr8(0x10000000, 0x1) = 0xAB;

注意:

在本节后面的描述中,sysbase代表的是FLASH的起始地址,而SysAddr8中的offset则代表了相对于FLASH起始地址的BYTE偏移量.offset也是8-BIT FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的地址。

a. 整片擦除操作

整片擦除操纵共需要6个周期的总线写操作:

将 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555;

将 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA;

将 0x80 写到 FLASH 地址 0x5555;

将 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555;

将 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA;

将 0x10 写到 FLASH 地址 0x5555.

对应的代码:

*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0xAA; //将值 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8(sysbase, 0x2AAA) = 0x55; //将值 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0x80; //将值 0x80 写到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0xAA; //将值 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8(sysbase, 0x2AAA) = 0x55; //将值 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0x10; //将值 0x10 写到 FLASH 地址 0x5555

b. SECTOR擦除操作

SECTOR的擦除操纵共需要6个周期的总线写操作:

将 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555;

将 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA;

将 0x80 写到 FLASH 地址 0x5555;

将 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555;

将 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA;

将 0x30 写到要擦除的 SECTOR 对应的地址。

对应的代码:

*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0xAA; //将值 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8(sysbase, 0x2AAA) = 0x55; //将值 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0x80; //将值 0x80 写到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0xAA; //将值 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8(sysbase, 0x2AAA) = 0x55; //将值 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr8(sysbase, addr) = 0x30; //将值 0x30 写到要擦除的 SECTOR 对应的地址

c. BYTE擦除操作

写一个BYTE 的数据到FLASH中往,需要 4个周期的总线写操作:

将 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555;

将 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA;

将 0xA0 写到 FLASH 地址 0x5555;

将编程数据(BYTE)写到对应的编程地址上。

对应的代码:

*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0xAA; //将值 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8(sysbase, 0x2AAA) = 0x55; //将值 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0xA0; //将值 0xA0 写到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8(sysbase, addr) = data; //将一个 BYTE的数据写到期看的地址

2.5 16-BIT FLASH 烧写驱动实例 - SST39VF160

SST39VF160是SST公司的一款16-BIT的NOR FLASH. 在这个小节里, 我们以SST39VF160为例子, 讲述如何对16-BIT NOR FLASH进行操作。对8-BIT FLASH的操作很好理解,但对16-BIT FLASH的操作理解起来要晦涩很多。我尽力描述得清楚些。

SST39VF160的容量为2M-BYTE , 总共包括512个SECTOR, 每个SECTOR 的容量是4K-BYTE. 该芯片支持SECTOR擦除,整片擦除和以 HALF-WORD 为基本单位的写操纵.SST39VF160 的命令定义如表-2 所示。在表 2 中,由于所有命令都是从FLASH的角度来定义的。 所以, 所有的地址都是HALF-WORD地址, 指的是16-BIT FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的地址。

在本节后面的描述中,我们使用了下面的2个定义:

U32 sysbase; //该变量用来表示 FLASH 的起始地址

#define SysAddr16(sysbase, offset) ((volatile U16*)(sysbase)+(offset)) //用来方便对指定的 FALSH 地址进行操作

SysAddr16(sysbase, offset)首先定义了一个16-BIT HALF-WORD的指针,指针的地址为sysbase,然后根据offset做个偏移操纵。 由于HALF-WORD指针的地址是2个BYTE对齐的, 所以每个偏移操纵会使得地址加2. 终极, SysAddr16 (sysbase, offset)相当于定义了一个HALF-WORD的指针,其终极地址为(sysbase + 2offset) 。在使用SysAddr16的时候,将sysbase设置成 FLASH 的起始地址,offset 则可以理解为相对于 FLASH 起始地址的HALF-WORD 偏移量或是偏移地址。假设FLASH 的起始地址为 0x10000000,SysAddr16(0x10000000, 0)指向 16-BIT FLASH 的第 0 个HALF-WORD, SysAddr16(0x10000000, 1指向16-BIT FLASH的第1个HALF-WORD.依次类推。假如要将0xABCD分别写到FLASH 的第0个和第 1个HALF-WORD 中往,可以用下面的代码:

*SysAddr16(0x10000000, 0x0) = 0xABCD;

*SysAddr16(0x10000000, 0x1) = 0xABCD;

接下来,我们分别从ARM处理器的角度和FLASH的角度来具体分析一下。

从 ARM 的角度来看:

假设 FLASH 的起始地址为 0x10000000,由于 ARM 处理器知道 FLASH 的地址空间为 0x10000000 ~ (0x10000000 +FLASH容量 – 1),所以在对这个地址空间进行访问的时候,会设置好FLASH的片选信号,并将低位的地址输出到 地址信号上。以*SysAddr16(0x10000000, 0x1) = 0xABCD 为例。从ARM 处理器的角度来看,该操纵是把0xABCD写到地址0x10000002上往。所以ARM处理器终极会在它的地址信号An-A0输出地址0x2,同时会在D15-D0 上输出0xABCD.

从 FLASH 的角度来看:

还是以 *SysAddr16(0x10000000, 0x1) = 0xABCD 为例,FLASH看到的地址是多少呢?接着分析.ARM 处理器在执行操纵的时候,会设置好相应的FLASH片选使能信号,并在ARM的地址信号An-A0上输出 0x2.由于 ARM和 16-BIT FLASH的地址信号的连接是错开一位的, 所以, FLASH终极在自己的地址An-A0上看到的信号是0x1, 相当于将ARM处理器输出的地址往右做了一个移位操纵,恰好对应的是FLASH的第1 个HALF-WORD.同时,FLASH会在自己的D15-D0上看到数据0xABCD.

通过上面的分析,我们知道 SysAddr16 中指定的 offset 的值就是 16-BIT FLASH 在自己的地址 An-A0 上看到的值。所以,我们可以很方便的通过 SysAddr16(sysbase, offset) 对 FLASH 进行操纵,其中 sysbase 代表 FLASH 起始地址,offset 则代表了FLASH 的第几个HALF-WORD(HALF-WORD偏移量或偏移地址)

注意:

在本节后面的描述中,SysAddr16中的 SYSBASE代表的是FLASH的起始地址,而SysAddr16中的 OFFSET则代表了相对于FLASH起始地址的 HALF-WORD 偏移量或偏移地址.OFFSET 的值也是16-BIT FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的值;

在SST39VF160的命令定义中,所有的地址都是针对FLASH的HALF-WORD地址,指的是在FLASH自己的地址信号An-A0上看到的地址。

整片擦除操作

整片擦除操纵共需要6个周期的总线写操作:

将 0x00AA写到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;

将 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA;

将 0x0080 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555;

将 0x00AA写到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;

将 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA;

将 0x0010 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555.

对应的代码:

*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x00AA; //将值 0x00AA 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16(sysbase, 0x2AAA) = 0x0055; //将值 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA

*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x0080; //将值 0x0080 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x00AA; //将值 0x00AA 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16(sysbase, 0x2AAA) = 0x0055; //将值 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA

*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x0010; //将值 0x0010 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

SECTOR擦除操作

SECTOR的擦除操纵共需要6个周期的总线写操作:

将 0x00AA写到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;

将 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA;

将 0x0080 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555;

将 0x00AA写到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;

将 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA;

将 0x0030 写到要擦除的 SECTOR 对应的 HALF-WORD地址。

对应的代码:

复制代码

*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x00AA; //将值 0x00AA 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16(sysbase, 0x2AAA) = 0x0055; //将值 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA

*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x0080; //将值 0x0080 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x00AA; //将值 0x00AA 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16(sysbase, 0x2AAA) = 0x0055; //将值 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA

*SysAddr16(sysbase, addr 》》 1) = 0x0030; //将值 0x0030 写到要擦除的 SECTOR 对应的HALF-WORD地址

复制代码

注意:

上面的代码中第6个操纵周期中的ADDR 是从ARM处理器的角度来看的BYTE地址,由于在擦除的时候,用户希看指定的是从 ARM 的角度看到的地址,这样更方便和更直观。而在 SysAddr16 的宏定义中,OFFSET 表示的是相对于FLASH起始地址的 HALF-WORD 偏移量,或是FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的地址。所以需要执行一个右移操作,把ADDR转换成 HALF-WORD 地址。

举例说明,SST39VF160 每个 SECTOR 的大小是 4K-BYTE.从 ARM 处器的角度和用户的角度来看,SECTOR-0 相对于FLASH起始地址的BYTE地址是0x0;从FLASH来看SECTOR-0 的HALF-WORD地址是0x0.从ARM处理器的角度和用户的角度来看, FLASH SECTOR-1相对于FLASH起始地址的BYTE地址0x1000; 从FLASH来看, SECTOR-1的HALF-WORD地址应该是(0x1000 》》 1) = 0x800.

假如要擦除SECTOR-0,上面代码的第6条指令应该是:

*SysAddr16(sysbase, 0x0 》》 1) = 0x0030;

假如要擦除SECTOR-1,上面代码的第6条指令应该是:

*SysAddr16(sysbase, 0x1000 》》 1) = 0x0030;

HALF-WORD 编程操作

写一个HALF-WORD的数据到FLASH中往,需要4个周期的总线写操作:

将 0x00AA写到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;

将 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA;

将 0x00A0 写到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;

将编程数据(HALF-WORD)写到对应的 HALF-WORD地址。

对应的代码:

*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x00AA; //将值 0x00AA 写到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr16(sysbase, 0x2AAA) = 0x0055; //将值 0x0055 写到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x00A0; //将值 0x00A0 写到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr16(sysbase, addr 》》 1) = data; //将数据写到对应的 HALF-WORD 地址

注意:

上面的代码中第4个操作周期中的ADDR是从ARM处理器的角度来看的BYTE地址, 由于在执行写操作的时候,用户希看指定的是从 ARM 的角度看到的地址,这样会更方便和更直观。而在 SysAddr16 的宏定义中,OFFSET表示的是相对于FLASH起始地址的HALF-WORD偏移量。 所以需要执行一个右移操纵, 把它转换成HALF-WORD地址。

例如要将数据 0x0123 写到地址 0x0处,对应的是 FLASH 的第 0 个 HAFL-WORD,对应的 HALF-WORD 地址应该是0x0,上面代码的第4条指令应该是:

*SysAddr16(sysbase, 0x0 》》 1) = 0x0123;

又如要将数据0x4567写到地址0x2处, 对应的是FLASH的第1个 HALF-WORD, 对应的HALF-WORD地址应该是0x1, 上面代码的第4条指令应该是:

*SysAddr16(sysbase, 0x2 》》 1) = 0x4567;

再如要将数据0x89AB写到地址0x4处, 对应的是FLASH的第2个HALF-WORD, 对应的HALF-WORD地址应该是0x2,上面代码的第4条指令应该是:

*SysAddr16(sysbase, 0x4 》》 1) = 0x89AB;

还如要将数据0xCDEF 写到地址 0x6处,对应的是 FLASH 的第 3 个 HALF-WORD,对应的 HALF-WORD 地址应该是0x3,上面代码的第4条指令应该是:

*SysAddr16(sysbase, 0x6 》》 1) = 0xCDEF;

2.6 小结

以上简单介绍了NOR FLASH原理,以及如何对NOR FLASH进行操作, 但没有包括状态查询, 保护等其他操纵。 对于更复杂的多片FLASH并联的情况也没有讨论,如有需要者,可自行分析。

结语

关于norflash的相关介绍就到这了,如有不足之处欢迎指正。

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