用6B8P打造的一款靓胆机,6B8P AMPLIFIER
关键字:6B8P,胆机电路图
作者: 魏勇进
附图是一款两级放大的胆功放。前级采用五极管,目的是获取较大的增益来推动功率放大级,可以使整机放大级数减少。前级放大管选用688P,该管是专为电子管收音机设计的检波、低频电压放大音频专用管,性能优良,尤其将其工作电压提高到400V以上时,动态凌厉,空气感强,与名管6J7、6J8P等的性能一样优秀。
当信号经VR调控后进八V1的栅极,Rl是V1的阴级电阻,调整R1可以改变V1阴极电压。6B8P的屏极负载电阻R2取值较小,其原因为五极管的内阻高,当负载电阻过大时,对高频衰减大,应控制在80kΩ以下,高频响应可延升至30kHz。并且屏压提高,失真会减小,动态响应也更好。R3向688P提供适量的帘栅电压,帘栅极设稳压二极管D,有两个用途,一是稳定帘栅电压,五极管帘栅极的电压稳定性很重要,与音质有很大的关系,因为在电压放大器中,五极管的帘栅极电压波动比屏极电压波动所产生的失真更大。二是本机B+480V,而688P的帘栅电压最高也就140V,并且是旁热式的加热方式,阴极加热时间要比523P慢,若只用电阻R3、R4从B+降压获取帘栅压,开机后的十余秒时间,整机系空载,使帘栅压变得与B+同电位,这样将对688P造成伤害。
功率放大级采用胆机爱好者称之为“超凡脱俗”的FU-50中功率五极放大管,将它接成三极管,作为单端甲类放大时,声音明亮、通透、保真度高、频响宽,该管具有两大特点,一是体积小功率大,屏耗达40W,二是有着与众不同的音乐韵昧。接成三极管时的特性曲线与名管3008接近,因此胆机爱好者又称FU-50为小300B。
R5是FU-50栅极电阻,它与阴极电阻R6组成自给偏压回路。笔者是这样考虑的:一是自偏压比固定偏压音色流畅;二是简化电路降低成本及增加安全和可靠性。R7的作用是将V2帘栅极和屏极相连接,是一种在胆管内的极间负反馈,这样有利于胆管的工作稳定,有利于延长胆管工作寿命,还有防止而产生自激作用。这种将五极管连接成三极管,是最常用也是最佳选择,缺点是功率偏小。在制作过程中将V2的屏耗控制在85%最好。本机是无负反馈功放机,因为将FU-50并接成三极管后,屏极特性好,输出阻抗低,无须借助负反馈来改善音质。

制作中注意事项:
1、电源是本机性能与靓声的保证,必须施以重料,才能给电路提供充沛和清洁的动力。本机电源变压器功率250W以上,整流管用523P或2748,滤波电容器对本机音质有影响,若有条件可选油浸电容,滤波扼流圈应大于10H 250mA。
2、C1、C5与C3要选择优质的油浸电容器,对音质有很大的影响,所以应认真选择与挑选。本机所用电容器不论是拆机品还是新品,都不允许有漏电现象。
3、R2是Vl的负载电阻,功率应大于Vl的功率,所以应用3只2W 240kΩ的并联,这样散热好。否则R2发热而导致阻值变大,破坏电路参数造成失真,这一点往往被忽视,其他电阻除标注外都选用2W。
4、输出变压器是本机关键元件,可选用阻抗3.5K:8Ω/30W,频晌宽、口碑和信誉好的产品。有能力者可自行绕制,铁心可以大一些,最好30W以上。
5、底盘的制作可以根据现有的元件器材的大小自行设计。
6、不要过份追求机子内部的美观与整齐,各零部件就近连接,应围绕在胆管座上的焊脚焊接,走直线,坚持星形一点接地。
装好后,多查几遍,确认无误后通电测试、试听,边听边煲边调。这是一款造价低廉,而表现颇佳的胆功放,有兴趣的发烧友值得一试。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
Onsemi NTF6P02、NVF6P02 P沟道MOSFET的特性与应用
就来深入了解一下Onsemi公司推出的NTF6P02和NVF6P02这两款P沟道MOSFET。 文件下载: NTF
STM32L151x6/8/B-A和STM32L152x6/8/B-A:超低功耗32位MCU的卓越之选
。STMicroelectronics推出的STM32L151x6/8/B-A和STM32L152x6/8/
探索 onsemi NTLJS7D2P02P8Z P 沟道 MOSFET 的卓越性能
NTLJS7D2P02P8Z 是一款采用 WDFN6 封装的 P 沟道 MOSFET,具备 -20V 的耐压能力。它专为紧凑型设计而打造,
深入解析 NTMFD1D6N03P8:高性能双 N 沟道 MOSFET 的卓越之选
深入解析 NTMFD1D6N03P8:高性能双 N 沟道 MOSFET 的卓越之选 在电子设计领域,MOSFET 作为关键的功率器件,其性能直接影响着电路的效率和稳定性。今天,我们将深入探讨
深入解析 NTMFS003P03P8Z P 沟道 MOSFET
的 NTMFS003P03P8Z 单 P 沟道功率 MOSFET。 文件下载: NTMFS003P03P8Z-D.PDF 产品概述 NTMFS003P03P8Z 是 onsemi 旗下
Onsemi NVMFS9D6P04M8L P沟道MOSFET:高效与紧凑的完美结合
,我们来深入了解Onsemi推出的一款P沟道MOSFET——NVMFS9D6P04M8L,看看它有哪些出色的特性和优势。 文件下载: NVMFS9D6P04M8L-D.PDF 产品概述
深入解析NVTFS9D6P04M8L:P沟道MOSFET的卓越性能与应用潜力
深入解析NVTFS9D6P04M8L:P沟道MOSFET的卓越性能与应用潜力 在电子设备设计领域,功率MOSFET的性能优劣对整个系统的效率、可靠性和尺寸起着关键作用。今天,我们就来详细探讨一款颇具
安森美P沟道MOSFET:NVTFS012P03P8Z与NVTFWS012P03P8Z解析
安森美P沟道MOSFET:NVTFS012P03P8Z与NVTFWS012P03P8Z解析 在电子设计中,MOSFET是常用的功率开关元件,今天我们来深入了解安森美(onsemi)推出的两款
深入解析 onsemi NVMFS9D6P04M8L P 沟道 MOSFET
的 NVMFS9D6P04M8L P 沟道 MOSFET,看看它有哪些特性和优势。 文件下载: NVMFS9D6P04M8L-D.PDF 产品概述 NVMFS9D6P04M8L 是
解析NVTFS015P03P8Z:一款高性能P沟道MOSFET
解析NVTFS015P03P8Z:一款高性能P沟道MOSFET 在电子设计领域,MOSFET作为关键的功率器件,其性能直接影响着整个系统的效率和稳定性。今天我们就来深入剖析安森美(onsemi
探索NVTFS9D6P04M8L P沟道MOSFET:特性、参数与应用考量
(onsemi)的NVTFS9D6P04M8L P沟道MOSFET,看看它有哪些独特之处。 文件下载: NVTFS9D6P04M8L-D.PDF 一、产品概述 NVTFS9D
德州仪器 TPSM8D6B24 电源模块:特性、应用与设计指南
)的 TPSM8D6B24 电源模块凭借其高度集成、易于使用等特点,成为众多应用场景的理想选择。本文将深入探讨 TPSM8D6B24 的特性、应用以及详细的设计要点。 文件下载: tpsm8d6b24.pdf
6V49205B:Freescale P10XX和P20XX系统时钟解决方案
6V49205B:Freescale P10XX和P20XX系统时钟解决方案 在电子设计领域,时钟发生器的性能对整个系统的稳定性和性能起着关键作用。今天要给大家介绍的是6V49205B
深入解析CD4512B:一款高性能8通道数据选择器
深入解析CD4512B:一款高性能8通道数据选择器 在电子设计的广阔领域中,数据选择器扮演着至关重要的角色,它们能够在多个信号源中进行选择,并将选定的信号传输到输出端。CD4512B作
TPSM8D6B24EVM-2V0电源模块评估模块技术解析
Texas Instruments TPSM8D6B24EVM-2V0电源模块评估模块 (EVM) 配置用于评估TPSM8D6B24的运行情况。TPSM8D6B24是一款4V至16V输
用6B8P打造的一款靓胆机,6B8P AMPLIFIER
评论