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捷捷微电投建MOS管、IGBT等项目,增募资不超9.11亿元

NSFb_gh_eb0fee5 来源:未知 作者:胡薇 2018-09-26 09:31 次阅读

集微网消息 在半导体分立器件行业,尽管中国已经发展成为全球最大的半导体分立器件市场,但就半导体分立器件的供给而言,目前全球半导体分立器件主要以美日欧企业为主,高端市场几乎被这三大主力垄断。

2010年以来,国务院及各部委多次颁布了鼓励半导体行业发展的政策,国家政策的支持将加速我国高端功率器件的发展进程,加速 IGBTMOSFET 等高端功率器件芯片生产工艺的研制和开发进程。

未来,我国必然会出现若干家跻身国际一线梯队的功率半导体企业,在中国功率半导体厂商中,扬杰科技、华微电子已经宣布公司MOS管、IGBT成功研制并量产,而台基股份也在近日发布公告,拟合作设立 IGBT 项目公司。

9月21日,捷捷微电发布披露定增预案,拟非公开发行不超3500万股,募资不超9.11亿元,用于电力电子器件生产线建设项目;捷捷半导体有限公司新型片式元器件光电混合集成电路封测生产线建设项目;补充流动资金。

捷捷微电是国内晶闸管行业的龙头企业,除了逐渐稳固现有产品的优势地位之外,捷捷微电积极布局相应的 MOSFET、IGBT 及第三代半导体器件。

电力电子器件生产线建设项目的主要产品为电力电子器件功率 MOSFET、IGBT、快恢复二极管(FRD)、可控硅(SCR)等。

新型片式元器件、光电混合集成电路封测生产线建设项目的主要产品包括贴片式压敏电阻、贴片式二极管和交、直流光电耦合混合电路等,封装形式有 SMX 系列产品、引线插件型 Leaded,表面贴装型 SMD,光电混合集成式厚膜保护模块 Module 及保护电路 Protect IC 等。

捷捷微电表示,电力电子器件生产线建设项目和捷捷半导体有限公司新型片式元器件、光电混合集成电路封测生产线建设项目的实施将进一步丰富企业的产品结构,深化现有领域的应用深度,拓宽应用广度。项目实施后,电力电子器件产品线和新型片式元器件、光电混合集成电路产品线将覆盖更广的领域,形成多领域、广覆盖的多样化优势,进一步增加企业利润来源。

此外,捷捷微电目前处于快速成长期,公司多年来形成的累计利润已陆续投入到公司发展中,但是随着公司品牌影响力的深化,公司市场份额增长较快,未来两三年之后客户不断增加的需求与公司产能之间的矛盾将成为公司发展中的主要矛盾。项目的实施,有利于解决产能限制,扩大产品覆盖率,满足业务扩张需求。

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原文标题:捷捷微电拟定增募资不超9.11亿元,投建MOS管、IGBT等项目

文章出处:【微信号:gh_eb0fee55925b,微信公众号:半导体投资联盟】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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